英飛凌新型氮化鋁陶瓷結構為高功率碳化硅模塊降溫

發布時間 | 2021-06-21 15:39 分類 | 行業要聞點擊量 | 1054

碳化硅氮化鋁

導讀：6月16日，英飛凌（infineon）宣布與全球電子元件分銷商EBV簽約，拓展基于碳化硅的CoolSiC高性能陶瓷模塊應用市場。

6月16日，英飛凌（infineon）宣布與全球電子元件分銷商EBV簽約，拓展基于碳化硅的CoolSiC高性能陶瓷模塊應用市場。

與硅基器件相比，碳化硅具有更高的工作頻率和更高的工作電壓范圍，所以正在迅速擴展應用領域，如電池充電、光伏逆變器、電機驅動、儲能和電源。英飛凌開發了從SiC基二極管和分立MOSFET到混合和全SiC模塊的CoolSiC產品組合，但高功率密度帶來的散熱問題限制了器件的壽命和市場。

今年4月29日，英飛凌正式推出了全新的EasyDUAL? CoolSiC?功率模塊，該模塊采用氮化鋁陶瓷，器件為半橋結構，適用于1200V的高功率應用場景，包括太陽能不斷電系統、輔助逆變器、儲能系統和電動車充電器。配備氮化鋁陶瓷的CoolSiC模塊技術，使散熱片的熱阻最多降低40%熱阻，可提高輸出功率或降低工作溫度，提升系統使用壽命。

編譯 YUXI