由于研究及應用上的相對成熟，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）被并稱為第三代半導體的“雙雄”。其中，氮化鎵具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，因此在微波射頻、電力電子、光電子等領域中尤其受到重視。

盡管人們已經認識到氮化鎵的性能優勢，包括較低的總體系統成本，更高的功率密度和功率效率，但由于氮化鎵生產門檻高，在很長的一段時間內其成本相對硅來說都高出不少，因此不少電源系統制造商還是選擇等待氮化鎵接近硅的價格再采用。

氮化硅充電頭

不過隨著技術上的突破，氮化鎵的成本控制已經得到了顯著成果。比如說今天，就有一則這樣的消息——氮化鎵功率晶體管的全球領導者GaN Systems宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。 這些晶體管通常用于智能手機和筆記本電腦以及各種消費品和工業應用的氮化鎵充電器和AC適配器。 隨著全球眾多消費者，企業和工業市場客戶的產量提高，GaN Systems預計氮化鎵晶體管的價格會進一步降低。

“等待已經結束，我們終于看到價格低于1美元，這是一個里程碑。 隨著數量的猛增，氮化鎵價格已經逼近甚至低于硅MOSFET的價格，” GaN Systems首席執行官Jim Witham評論道。 “在短短幾年內，我們看到氮化鎵使電源系統變得更小，更輕，更涼也更便宜。 因此現在有非常多的客戶在其產品和設計中使用氮化鎵，也就不足為奇了?！?/span>

市場對氮化鎵功率半導體的需求一直在增長。根據“宏景研究所”Grand View Research）的預測，全球氮化鎵半導體器件市場將從2020年的16.5億美元（市場規模價值）以19.8％的復合年增長率增長，到2027年達到58.5億美元。考慮到GaN Systems公司在生產能力上已被證明的可靠性，可預見未來氮化鎵在消費類電子等領域必將得到更廣泛的應用。

來源：acnnewswire

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