2月23日，國瓷材料總經理張兵在2020年度業績網上說明會上透露，公司氮化鋁陶瓷基板目前已完成中試，將在2021年實現量產。此前國瓷材料高導熱陶瓷基板項目公示材料顯示，項目建成后可實現年產氧化鋁粉體3000t，氮化鋁粉體200t，高導熱陶瓷基板200萬片。
據國瓷材料氮化鋁粉發明專利信息顯示，其氮化鋁粉采用一種高溫熔融法制備，以氨氣和氮氣混合氣體通入爐體與鋁粉發生反應。該方法具備成本低，氮化鋁粉末純度高，球形度高，粒度分布窄，無結塊的優點。
作為芯片承載材料，AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力，而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導熱性，熱導率可以達到170-260W/mK。IGBT或SIC模塊在運行過程中，在芯片的表面會產生大量的熱量，這些熱量會通過陶瓷基板傳輸到模塊散熱底板上，再通過底板上的導熱硅脂傳導于散熱器上，完成模塊的整體散熱流動。除此之外，AlN陶瓷還具備熱阻系數低、膨脹系數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點，采用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度。
粉體圈 郜白
作者：粉體圈
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