1月24日,蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式,該項目將建設(shè)成為國際前三的氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地,預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。
據(jù)蘇州納米城消息,該公司實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù),成為國內(nèi)唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導(dǎo)電、半絕緣氮化鎵單晶的企業(yè),產(chǎn)品性能國際領(lǐng)先,并先后獲得蘇州市首屆姑蘇雙創(chuàng)人才、園區(qū)首批科技領(lǐng)軍人才企業(yè)等榮譽(yù)。
2英寸自支撐氮化鎵晶片(非摻雜)
納維科技是國內(nèi)能夠同時批量提供2英寸高導(dǎo)電、半絕緣氮化鎵單晶的企業(yè)。納維科技董事長徐科表示,“我們將一如既往、繼續(xù)深耕細(xì)作,努力實(shí)踐每畝200萬元稅收的先行先試,打造出國際前三的GaN單晶襯底的研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地!”
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作者:粉體圈
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