第三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授認為，在以5G、物聯網、工業互聯網等為代表的‘新基建’主要領域中，第三代半導體均可發揮重要作用。

相比于目前在功率半導體領域依然占主流地位的傳統硅基器件，第三代半導體功率電子器件可使電子和電器設備進一步高效化、小型化、智能化。例如，耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊，可大規模應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域；高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊，則可大規模應用于新一代通用電源，如大數據中心、移動通信基站、物聯網終端設備的電源，以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領域，具有巨大技術優勢和市場空間。

第三代半導體射頻電子器件在民用和軍用領域都已實現規模化應用。尤其是，由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優勢，氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動通信基站建設中發揮著不可替代的作用，我國5G建設提速，將觸發對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。

近日發布的《第三代半導體產業技術發展報告（2019年）》預測，2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場規模將近200億元，未來5年復合增長率超過40%。近兩年市場高速增長主要得益于國家對半導體產業自主化的大力提倡所獲得的資本進入，以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數據中心等領域的新應用。

來源：科技日報

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