重慶大足高新區(qū)：50億元半導體氮化鎵材料項目開工

發(fā)布時間 | 2018-11-16 16:57 分類 | 行業(yè)要聞點擊量 | 4334

碳化硅

導讀：11月13日，聚力成半導體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶市大足高新區(qū)舉行。該項目占地500畝，擬投資50億元，將打造集氮化鎵外延片制造、晶元制造、芯片設計、封裝、測試、產(chǎn)品應用設計于一體的...

11月13日，聚力成半導體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶市大足高新區(qū)舉行。該項目占地500畝，擬投資50億元，將打造集氮化鎵外延片制造、晶元制造、芯片設計、封裝、測試、產(chǎn)品應用設計于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。

近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點。因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，第三代半導體材料已成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領(lǐng)域有廣闊的應用前景。

聚力成公司在大足建設的基地，是其在中國大陸的第一個生產(chǎn)、研發(fā)基地，將有望打破上述局面。該項目建成后，有望突破我國第三代半導體器件在關(guān)鍵材料和制作技術(shù)方面的瓶頸，形成自主制造能力。可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達、機器人等行業(yè)的電力控制系統(tǒng)和通訊系統(tǒng)的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導體和高射頻半導部件。

參考來源：重慶日報