中國電科二所“碳化硅單晶襯底材料制備產業化”項目支持落實

發布時間 | 2015-12-11 09:52 分類 | 行業要聞點擊量 | 6073

碳化硅

導讀：根據國家發改委通知，中國電科二所“SiC單晶襯底材料制備產業化”項目獲得國家發改委2015年第三批專項建設基金支持。該項目將在現有碳化硅工藝技術基礎上進行高純SiC粉料合成、6英寸SiC單晶生長、...

根據國家發改委通知，中國電科二所“SiC單晶襯底材料制備產業化”項目獲得國家發改委2015年第三批專項建設基金支持。該項目將在現有碳化硅工藝技術基礎上進行高純SiC粉料合成、6英寸SiC單晶生長、4英寸高純半絕緣SiC單晶生長工藝及其相關設備產業化建設，最終實現規模化批量生產能力。

今年早些時候，山西省科技廳組織有關專家對中電二所完成的“4英寸碳化硅單晶材料工程化制備”項目進行了成果鑒定。專家組普遍認為，該項目在同類研究中總體達到了國內領先水平，其中單晶材料生長設備達到了國際先進水平。該項目順利通過成果鑒定標志著中電二所碳化硅設備及材料已經達到了國際及國內相應水平，該所的碳化硅設備及材料獲得專家一致好評。

(粉體圈作者：郜白）