2025年5月，日本東北大學與住友商事株式會社共同宣布，正式啟動“碳循環(huán)型SiC（碳化硅）合成技術”的聯(lián)合開發(fā)項目。該技術旨在利用CO?與硅廢料進行資源再生，構建新型低碳材料制造路徑。項目研究周期預計至2028年3月，為期約三年，目標是在實現(xiàn)CO?減排的同時，有效利用工業(yè)廢棄物并降低SiC制備成本。

碳化硅（SiC）是近年來備受關注的下一代功率半導體材料，廣泛應用于電動汽車（EV）和可再生能源設備等領域，有望顯著提升能源轉(zhuǎn)換效率。然而，傳統(tǒng)SiC制備過程需在高溫下進行，能耗巨大，且伴隨大量二氧化碳排放，環(huán)境負荷高。

為解決上述難題，東北大學與住友商事決定共同開發(fā)“碳循環(huán)型SiC”合成技術。具體而言，東北大學將發(fā)揮其在碳循環(huán)方向的技術、專利與學術積累優(yōu)勢，專注于反應條件優(yōu)化及高純度SiC粉體的工藝驗證。住友商事則負責構建硅廢料（如切片加工過程中產(chǎn)生的硅泥）與CO?的穩(wěn)定供應體系，同時推進國內(nèi)外市場調(diào)研與銷售網(wǎng)絡建設。

該項目不僅力圖構建低環(huán)境負荷的新型材料制造模式，也有望在SiC粉體的純度控制、規(guī)模化量產(chǎn)及成本競爭力方面取得突破。研究團隊希望通過該項技術，推動SiC材料向更綠色、可持續(xù)的方向演進，為碳中和社會提供基礎支撐。

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