對比于傳統硅材料，以碳化硅為代表的第三代半導體材料具備更大的擊穿場強度和熱導率，同時其帶隙比硅更高，這些特性使得SiC器件能夠處理更高的電壓和溫度，以碳化硅作為基材打造的半導體功率器件，可以在設計中達到更到的效率。過去的幾年中在SiC制造領域涌現了大量的投資，隨著制造技術的提升，SiC器件的可用性以及成本也有所改善。因此，在諸如電動汽車，快速充電，可再生能源等越來越多的行業正在逐步采用碳化硅，SiC預計將在電力電子技術的進步以及向更清潔、更可持續的未來的過渡中發揮重要作用。

然而，因為更多的應用于高功率的場景情況，SiC功率器件在高密度和高功率應用中會產生大量熱量，如果散熱不良，會導致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩定運行至關重要。通常SiC器件采用陶瓷基板并涉及到一系列的散熱材料與方案的組合，以最大限度的提升器件散熱，以期確保器件穩定工作，延長使用壽命，提高系統可靠性。

2025年5月26日--28日，粉體圈將在廣州美麗豪酒店舉辦“CAC2025廣州先進陶瓷論壇暨展覽會”。在5月27日上午的“半導體與新能源”分論壇上，來自邁圖技術的大中華及東南亞區域陶瓷業務負責人王存國將分享題為“采用先進陶瓷材料改善SiC功率模塊基板的散熱能力”的報告。邁圖深耕材料領域多年，在高功率散熱領域通過與客戶合作，在高通量導熱石墨與金屬基板的封裝，熱沉片，均熱板，氮化硼界面材料等一些應用案例中取得了良好的效果。本報告通過分享若干應用案例，拋磚引玉與業內交流陶瓷材料在高功率SIC器件中的應用情況，相信一定會讓大家不虛此行！

報告人簡介

王存國，現任邁圖技術大中華及東南亞區域陶瓷業務負責人。從事陶瓷/半導體材料領域多年，具備豐富的行業應用經驗。

CAC2025先進陶瓷論壇