對(duì)比于傳統(tǒng)硅材料，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備更大的擊穿場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，同時(shí)其帶隙比硅更高，這些特性使得SiC器件能夠處理更高的電壓和溫度，以碳化硅作為基材打造的半導(dǎo)體功率器件，可以在設(shè)計(jì)中達(dá)到更到的效率。過(guò)去的幾年中在SiC制造領(lǐng)域涌現(xiàn)了大量的投資，隨著制造技術(shù)的提升，SiC器件的可用性以及成本也有所改善。因此，在諸如電動(dòng)汽車(chē)，快速充電，可再生能源等越來(lái)越多的行業(yè)正在逐步采用碳化硅，SiC預(yù)計(jì)將在電力電子技術(shù)的進(jìn)步以及向更清潔、更可持續(xù)的未來(lái)的過(guò)渡中發(fā)揮重要作用。

然而，因?yàn)楦嗟膽?yīng)用于高功率的場(chǎng)景情況，SiC功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，如果散熱不良，會(huì)導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散熱方法對(duì)于確保碳化硅功率器件的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。通常SiC器件采用陶瓷基板并涉及到一系列的散熱材料與方案的組合，以最大限度的提升器件散熱，以期確保器件穩(wěn)定工作，延長(zhǎng)使用壽命，提高系統(tǒng)可靠性。

2025年5月26日--28日，粉體圈將在廣州美麗豪酒店舉辦“CAC2025廣州先進(jìn)陶瓷論壇暨展覽會(huì)”。在5月27日上午的“半導(dǎo)體與新能源”分論壇上，來(lái)自邁圖技術(shù)的大中華及東南亞區(qū)域陶瓷業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人王存國(guó)將分享題為“采用先進(jìn)陶瓷材料改善SiC功率模塊基板的散熱能力”的報(bào)告。邁圖深耕材料領(lǐng)域多年，在高功率散熱領(lǐng)域通過(guò)與客戶(hù)合作，在高通量導(dǎo)熱石墨與金屬基板的封裝，熱沉片，均熱板，氮化硼界面材料等一些應(yīng)用案例中取得了良好的效果。本報(bào)告通過(guò)分享若干應(yīng)用案例，拋磚引玉與業(yè)內(nèi)交流陶瓷材料在高功率SIC器件中的應(yīng)用情況，相信一定會(huì)讓大家不虛此行！

報(bào)告人簡(jiǎn)介

王存國(guó)，現(xiàn)任邁圖技術(shù)大中華及東南亞區(qū)域陶瓷業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人。從事陶瓷/半導(dǎo)體材料領(lǐng)域多年，具備豐富的行業(yè)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。

CAC2025先進(jìn)陶瓷論壇