在5G技術、新能源汽車、人工智能等高新技術的推動下，日益增長的算力需求使得設備面臨著更加嚴峻的散熱問題，與此同時，產品內部空間也越來越狹小，因此僅靠利用銅質、鋁制材料配合硅膠等設計出的散熱通道已經很難滿足需求，而高導熱散熱膜能夠提供很好的散熱解決方案。

目前，市面上使用的主流散熱膜有石墨散熱膜、石墨烯散熱膜等產品，它們可利用優異的面內熱量傳導作用，把熱量迅速均勻地傳導到機殼、框架以及屏幕等部件，以避免局部溫度過高而導致使用性能下降，甚至永久性損壞手機零件的可能。不過，石墨、石墨烯作為一類導熱性能非常優異的材料，限制了在高絕緣要求的元件上的應用。除此之外，石墨擁有較高的介電系數，是一種良好的電磁屏蔽材料，應用于5G通訊中，會阻礙信號的傳輸，無法滿足超低延遲的需求。因此，具有高導熱、絕緣、低介電常數的氮化硼納米片受到了研發人員的關注。

相比之下，氮化硼納米片（BNNS）具有穩定的化學狀態，使其表現出較高的電阻率和絕緣性能，而其較低的介電常數和介電損耗，使其具有透電磁波的特點，在5G射頻芯片、毫米波天線、無線充電、無線傳輸等領域以及對絕緣性要求較高的應用中有廣泛的應用前景。而在導熱性能方面，BNNS具有與石墨材料相似的層狀結構，是由交替的硼（B）原子和氮（N）原子構成無限延伸的六邊形蜂窩結構，其中 B 和 N 原子通過強共價鍵相連接。盡管B、N原子的電負性差異導致其電子分布沒有石墨烯均勻，但這種結構仍使得聲子在平面內的傳輸非常有效，理論上面內熱導率仍可達2000W/(m·K)，因此與石墨一樣，可通過有效的二維排列制備成高導熱絕緣薄膜。

六方氮化硼（左）與石墨（右）結構的示意圖

不過，與石墨層內的C-C鍵相比，BNNS除了B-N之間的共價鍵外，還有部分帶有離子鍵性質的lip-lip作用，使其層內結合力應也較強，導致原本適用于石墨烯或過渡金屬硫化物的剝離方法都無法有效地對h-BN進行剝離，因此探索環保且適合工業化生產的少層或單層氮化硼納米片( boron nitride nanosheets，BNNS)的剝離方法成為了高導熱氮化硼薄膜制備及產業化的關鍵。

針對上述難題，2月23-24日，在于廣東東莞舉辦的“2025年全國導熱粉體材料創新發展論壇（第5屆）”上，粉體圈特別邀請中國科學院寧波材料技術與工程研究所的虞錦洪研究員現場分享報告《高導熱氮化硼薄膜的研究及產業化》，屆時他將詳細介紹自主研發的綠色液相剝離技術用于制備高質量的氮化硼納米片（BNNS）粉體，并以其為原料制備出一系列高性能的導熱絕緣薄膜。如您對該報告感興趣，歡迎報名參會哦！

報告人介紹

虞錦洪，研究員、博士生導師。從事高導熱復合材料和半導體材料的研發，已在Adv. Mater., Nat. Commun., Small等SCI論文200余篇，被引13000余次，H因子66，申請中國發明專利46項(授權25項)，參編教材和專著共2部，主持國家自然科學基金、國家重點研究計劃子課題和企業委托項目十余項，獲省部級三等獎共3項，任《Nano-Micro Letters》、《Chinese Chemical Letters》和《絕緣材料》等期刊青年編委和編委，入選寧波市領軍和拔尖人才, 任中國復合材料學會導熱復合材料專業委員會和中國電工技術學會絕緣材料與絕緣技術專業委員會委員。

東莞導熱粉體論壇會務組