六方氮化硼（h-BN）擁有極高熱導(dǎo)率和優(yōu)異的電絕緣性，這使得它在對(duì)高效散熱和電氣隔離要求極高的電子封裝領(lǐng)域成為優(yōu)選材料。但是這種典型的二維材料的層內(nèi)（平面方向）熱導(dǎo)率非常高（約300W/mK），而垂直于層的方向（厚度方向熱導(dǎo)率則相對(duì)較低（約30W/mK）——各向異性的熱傳導(dǎo)特性使得其熱管理設(shè)計(jì)、材料加工和組裝，以及應(yīng)用場(chǎng)景等面臨很大挑戰(zhàn)和局限。

h-BN平面導(dǎo)熱與垂直導(dǎo)熱能力差異巨大

近年來，氮化硼商用導(dǎo)熱應(yīng)用技術(shù)和產(chǎn)品已形成大致范式，例如3M、圣戈班以及丹東化工研究所等國(guó)內(nèi)外先進(jìn)材料企業(yè)紛紛開發(fā)不同類型的氮化硼導(dǎo)熱系列產(chǎn)品以及相應(yīng)解決方案——迎難而上：通過氮化硼特殊的顆粒形狀及排列方式形成層狀堆棧，形成的導(dǎo)熱通路可提升垂直導(dǎo)熱能力；取長(zhǎng)補(bǔ)短：利用片型氮化硼搭配球形的六方氮化硼團(tuán)聚體促進(jìn)導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)形成，改善復(fù)合材料穿過平面的熱導(dǎo)率；揚(yáng)長(zhǎng)避短：既然結(jié)晶方向是導(dǎo)熱性能最優(yōu)越的方向，那么就開發(fā)大單晶氮化硼，不僅可以擁有更長(zhǎng)的導(dǎo)熱通道，同時(shí)也減少了晶界和位錯(cuò)等晶格缺陷，重要的是有利于粉體堆疊橋接，從而獲得更好的導(dǎo)熱效果……

2021年，Redmi K40首次通過獨(dú)有技術(shù)將氮化硼與石墨復(fù)合一體制成散熱膜

產(chǎn)品和技術(shù)的進(jìn)步通常由應(yīng)用端提出的新要求所推動(dòng)——隨著電子產(chǎn)品不斷向小型化、集成化發(fā)展，傳統(tǒng)的散熱手段必然難以滿足日益增長(zhǎng)的需求，基于h-BN的創(chuàng)新散熱技術(shù)和復(fù)合材料同樣需要不斷進(jìn)化，才能跟上產(chǎn)業(yè)升級(jí)迭代的腳步。此外，隨著5G通信、自動(dòng)駕駛汽車以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的發(fā)展，對(duì)于高效能電子元件的需求也將推動(dòng)h-BN材料和技術(shù)的進(jìn)步。因此，深入研究并廣泛應(yīng)用h-BN不僅能夠改善現(xiàn)有電子產(chǎn)品的性能，還可能引領(lǐng)下一代電子技術(shù)革命。

定于2025年2月23日-24日，廣東東莞舉辦的2025年全國(guó)導(dǎo)熱粉體材料創(chuàng)新發(fā)展論壇（第5屆）上，澳大利亞蒙納士大學(xué)副研究員范維仁博士將帶來題為“六方氮化硼多元構(gòu)筑及熱管理應(yīng)用”的報(bào)告，報(bào)告將主要介紹二維六方氮化硼的制備及應(yīng)用方式，并探討了其在多項(xiàng)多尺度復(fù)合材料構(gòu)筑中的顯著優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景。

報(bào)告人簡(jiǎn)介

范維仁：清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院博士后，澳大利亞蒙納士大學(xué)副研究員，廣東晟鵬科技有限公司技術(shù)顧問。畢業(yè)于澳大利亞蒙納士大學(xué)，主要從事納米材料制備及導(dǎo)熱應(yīng)用研究，特別是在維納材料及二維材料規(guī)模化制備方向擁有豐富研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，。主持和參與各類科研項(xiàng)目10余項(xiàng)，獲授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)。

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