隨著新興科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展及對器件表面要求的不斷提高，化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP）技術(shù)作為目前唯一能兼顧表面全局和局部平坦化的拋光技術(shù)，可通過機械磨損與化學(xué)腐蝕的協(xié)同作用，得到高材料去除率與表面質(zhì)量，具有廣闊的市場與研究價值。為了兼顧超高精度表面質(zhì)量和拋光效率，CMP拋光技術(shù)對關(guān)鍵耗材——拋光液、拋光粉的調(diào)配與生產(chǎn)的要求也不斷提高，而二氧化鈰因反應(yīng)活性高、對SiO₂親合力強而從一眾拋光顆粒中脫穎而出，成為高端顯示玻璃基板領(lǐng)域不可或缺的拋光材料。

利用二氧化鈰配制CMP拋光液，既能在壓力作用下促使玻璃表面形成水合軟化層，也能利用機械研磨去除形成的軟化層。不過要想獲得高平整度的表面質(zhì)量，需要使物理研磨作用和化學(xué)腐蝕作用保持在一個平衡狀態(tài)，避免化學(xué)作用過強導(dǎo)致腐蝕坑點或機械研磨作用過強對玻璃表面造成劃傷，這就對拋光液中成分、二氧化鈰粒度分布、物相結(jié)構(gòu)及微觀形貌等提出了要求。

氧化鈰拋光機理

除此之外，由于高精密拋光的氧化鈰粒度逐漸向亞微米級、納米級發(fā)展，且其本身具有一定的化學(xué)活性，因此保證二氧化鈰拋光液的分散懸浮穩(wěn)定性也是重中之重，否則粒子較易團聚，容易導(dǎo)致工件劃傷；同時由于懸浮清洗性能不好，拋光液磨料損耗快，容易粘附在工件及機臺表面，使磨料沉底結(jié)塊，研磨拋光效率降低；另外拋光后工件表面殘留拋光粉多，難以清洗，為后段正常生產(chǎn)帶來困難。

8月25-26日，在無錫舉辦的“2024年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇”上，粉體圈特別邀請了北京工業(yè)大學(xué)的梅燕教授現(xiàn)場分享報告《高端顯示玻璃基板用CMP稀土鈰基拋光漿料的研制及機理》，屆時她將帶您一起探究拋光漿料配方、pH值、潤濕角、濁度、Zeta電位值、沉降率、SEM等參數(shù)對拋光效果的影響，并從以下四個方面講解如何獲得拋光漿料的潤濕性與懸浮性的最佳配方：

1、CMP鈰基漿料的研究背景及意義；

2、CMP拋光漿料的組成及研究目標；

3、分散劑對CMP拋光漿料的影響及機理；

4、CMP拋光漿料的實驗結(jié)果及應(yīng)用

報告人介紹

梅燕，北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授/碩士生導(dǎo)師。自2003年起開始進行鈰基CMP拋光材料的研究開發(fā)，迄今20年來一直專注于此項工作，與國內(nèi)相關(guān)CMP拋光加工生產(chǎn)企業(yè)、應(yīng)用單位等建立了緊密的合作關(guān)系及應(yīng)用研究，積累了豐富的實踐經(jīng)驗，在CMP拋光磨料制備、合成工藝、反應(yīng)機理等方面均取得多項研究積累。

作為第一負責(zé)人，曾主持國家863重大項目子課題、北京市教委項目、企事業(yè)委托項目等多個科研項目，目前為“國家重點研發(fā)計劃項目---稀土專項”課題負責(zé)人。以第一作者發(fā)表發(fā)表稀土拋光專業(yè)的論文30余篇，以第一發(fā)明人獲得多項國家發(fā)明專利。

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