據(jù)南大雙創(chuàng)近日公布，修向前教授團隊推出“大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)”成果——已完成大尺寸原型激光切片設(shè)備的研發(fā)，實現(xiàn)了4-6英寸半絕緣碳化硅晶圓的切割減薄、6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠的切片，目前正在進行8英寸晶錠切片驗證。

將生長出的晶體切成片狀作為碳化硅單晶加工過程的第一道工序，切片的性能決定了后續(xù)薄化、拋光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亞表面產(chǎn)生裂紋，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表層裂紋損傷，對推動碳化硅器件制造技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。但是，目前碳化硅晶錠切片主要面臨多線切割技術(shù)材料損耗率高，加工周期長和產(chǎn)率低兩大問題。而采用激光切片設(shè)備雖然可以大大的降低損耗，提升產(chǎn)率。但是，目前大尺寸碳化硅晶錠激光切片設(shè)備僅日本能提供，價格昂貴且對中國禁運。據(jù)調(diào)研，激光切片/減薄設(shè)備國內(nèi)需求超過1000臺以上，目前大族激光、德龍激光等公司已經(jīng)投入巨資開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品，但尚未有商品化國產(chǎn)成熟設(shè)備銷售。

修向前教授，博士生導(dǎo)師，國家重點研發(fā)計劃首席科學(xué)家，長期從事寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備、材料與器件研究。研發(fā)團隊包括教師和研究生十余人。該項目已完成大尺寸原型激光切片設(shè)備的研發(fā)，實現(xiàn)了4-6英寸半絕緣碳化硅晶圓的切割減薄、6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠的切片。具體優(yōu)勢包括：半絕緣/導(dǎo)電型6英寸碳化硅晶錠單片切割時間≤15min；單臺年產(chǎn)晶片>30000片；半絕緣碳化硅晶錠單片損耗≤30um；導(dǎo)電型單片損耗≤60um，產(chǎn)片率提升>50%。項目研發(fā)的設(shè)備不僅用于碳化硅晶錠切割和晶片減薄，也可以用于氮化鎵、氧化鎵、金剛石等激光加工。

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