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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試 激光散射法

發(fā)布時(shí)間 | 2024-01-10 11:15 分類 | 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 點(diǎn)擊量 | 1129
碳化硅
導(dǎo)讀:本文件描述了激光散射法測(cè)試碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件適用于4H-SiC外延片的表面缺陷測(cè)試。

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 42902-2023

標(biāo)準(zhǔn)名稱:碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試 激光散射法

起草單位:安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、安徽芯樂半導(dǎo)體有限公司、南京國盛電子有限公司、浙江芯科半導(dǎo)體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。

歸口單位全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)

發(fā)布日期:2023-08-06

實(shí)施日期:2024-03-01

作者:粉體圈

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