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GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯密度的測試方法

發(fā)布時間 | 2023-08-17 11:41 分類 | 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 點(diǎn)擊量 | 1135
碳化硅
導(dǎo)讀:本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯密度的測試方法,適用于晶面偏離面、偏向<11?2 0>方向0°~8°的碳化硅單晶位錯密度的測試。

標(biāo)準(zhǔn)編號:GB/T 41765-2022

標(biāo)準(zhǔn)名稱:碳化硅單晶位錯密度的測試方法

起草單位:北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司。

歸口單位國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)

發(fā)布日期:2022-10-12

實(shí)施日期:2023-05-01

作者:粉體圈

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