衢州常山：富樂德化學氣相沉積碳化硅（CVD-SIC）產線竣工

發布時間 | 2023-08-09 17:45 分類 | 企業動態點擊量 | 1447

碳化硅氧化鋁

導讀：?8月3日，衢州常山縣舉行了浙江大和半導體產業園三期建設項目竣工儀式，該項目由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司和浙江富樂德半導體材料科技有限公司總投資近20億元建設，導入的化學氣相沉積碳...

8月3日，衢州常山縣舉行了浙江大和半導體產業園三期建設項目竣工儀式，該項目由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司和浙江富樂德半導體材料科技有限公司總投資近20億元建設，導入的化學氣相沉積碳化硅生產線將填補國內空白。

圖片來源：蘇州建筑工程集團（項目施工方）

浙江大和半導體產業園主要由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司高純硅部件項目、浙江富樂德半導體材料科技有限公司氧化鋁、氣相沉積碳化硅（CVD-SIC）三個子項目組成。

氣相沉積碳化硅以優異的導熱性、高溫穩定性、高電場承受力以及機械性能而在半導體行業得到廣泛應用，如封裝材料，如MOSFET、IGBT等的基板或襯底材料等等，可有效提升半導體功率器件的穩定性和可靠性。但氣相沉積碳化硅的制備工藝流程復雜，設備成本高昂，規模化生產穩定性的控制對專業技術挑戰很大，這都使得國內在該領域長期處于空白。