晶盛機電官宣重要突破：成功研發8英寸單片式碳化硅外延生長設備

發布時間 | 2023-06-29 10:24 分類 | 技術前沿點擊量 | 909

碳化硅

導讀：6月27日，浙江晶盛機電股份有限公司（晶盛機電）官宣取得第三代半導體設備領域重要技術突破，成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，可實現摻雜均勻性4%以內的外延質量。

6月27日，浙江晶盛機電股份有限公司（晶盛機電）官宣取得第三代半導體設備領域重要技術突破，成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，可實現摻雜均勻性4%以內的外延質量。

8英寸單片式碳化硅外延設備

8英寸單片式碳化硅外延生長設備團隊合影

2021年，晶盛機電取得關鍵進展，成功生長出6英寸碳化硅晶體，外延設備已通過客戶驗證。去年年底，晶盛機電成功生長出行業領先的8英寸碳化硅晶體。此次8英寸單片式碳化硅外延生長設備的成功研發，標志著晶盛機電在碳化硅行業的技術研發能力邁上了新臺階，為國內碳化硅行業技術、產能升級提供了充分的設備保障。

據悉，8英寸單片式碳化硅外延設備可兼容6、8寸碳化硅外延生產，在6英寸外延設備原有的溫度高精度閉環控制、工藝氣體精確分流控制等技術基礎上，解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題，實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。目前，在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎上，已實現8英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發與調試，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內，已達到行業領先水平。