4月18日,揚州揚杰電子科技股份有限公司(揚杰科技)簽署“6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同”,總投資約10億元分兩期實施建設,項目全部建成投產后,形成碳化硅6英寸晶圓產能5000片/月。

碳化硅半導體相比傳統硅半導體可以在更高溫度、更高電壓、更高頻率和更高輻射環境下工作,并具有更高的耐用性和可靠性,在汽車、工業、IT 及消費電子等多個領域的應用中有替代硅基器件的潛力,未來前景廣闊。
2000年成立的揚杰科技,是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化(IDM)的杰出廠商。揚杰科技已涉足碳化硅產品研發設計多年,形成了多項專利等知識產權,已成功開發并向市場推出SiC模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產品,SiC Mosfet已取得關鍵性進展,后續擬進一步布局6-8英寸碳化硅芯片生產線建設。
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作者:粉體圈
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