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11月01日，大族半導體宣布在金剛石切片領域取得了重要的技術突破，推出了QCBD（QuantumCuttingofBulkDiamond，鉆石量子切片）激光切片技術及其相關設備，實現(xiàn)了金剛石高質量低損傷高效率激光切片。這一成果標志著激...
據(jù)同濟快訊，近日市場監(jiān)管總局新批準二維鉻納米柵格標準物質、二維硅納米柵格標準物質、一維硅納米光柵標準物質3項國家一級標準物質。其中，二維鉻納米柵格標準物質是我國首次建立的納米級角度國家一級標準物質。上...
最近，京瓷（kyocera）宣布開發(fā)出用于下一代微芯片功能測試用的新型氮化硅陶瓷材料，它的熱膨脹系數(shù)和抗彎強度都得到加強，這使得其能夠在測試下一代微芯片時，用于生產(chǎn)接觸探針之間距離非常窄的薄氮化硅板。半導體...
2024年10月30日，氮化鋁材料領先企業(yè)NitrideGlobal,Inc宣布，將與UnitedSemiconductor,LLC和AxiomSpace合作開展一項由NASA資助的小型企業(yè)創(chuàng)新研究(SBIR)資助項目——“氮化鋁單晶空間制造的物理氣相沉積反應器設計和驗...
2024年10月23日，日本東麗株式會社（TorayIndustries,Inc.）宣布公司已聯(lián)合東麗工程（TRENG）開發(fā)出一套基于InP（磷化銦）等光半導體在硅基板上集成的材料與工藝技術，并計劃在2025年前完成量產(chǎn)技術的確立，力爭盡早...
在不久前結束的“CEATEC2024”展會上，成立于2021年由東京大學孵化的初創(chuàng)企業(yè)Gaianixx（ガイアニクス）在展示了其研發(fā)的“多能性中間膜”技術。該技術旨在提升SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等化合物半導體的附加值，并降...
今年6月，自然通訊期刊上發(fā)表了來自香港科技大學工程學院領導研究項目取得的成果，研究人員開發(fā)出一種創(chuàng)新的蜂窩陶瓷的制備方法，結合3D打印突破了傳統(tǒng)制備的局限，顯著簡化并加速了幾何形狀復雜的多孔陶瓷的生產(chǎn)。...
2024年10月17日，東北大學宣布成立FOX公司，這是一家以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標的新創(chuàng)公司。FOX采用了該大學和大學新創(chuàng)公司C&A聯(lián)合開發(fā)的無貴金屬單晶生長技術，旨在以比SiC更低的成本生...
近日，中科院過程所研究員朱慶山團隊利用新開發(fā)的前驅體水解法，實現(xiàn)了二氧化硅SiO2多殼層空心微球粉體的批量化合成，該成果上月發(fā)表在科技期刊《先進材料》上。論文地址：https://doi.org/10.1002/adma.202409421前...
9月26日，日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)總研）旗下的EDP公司宣布，公司已成功開發(fā)出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底，并可立即提供產(chǎn)品。注：EDP（イーディーピー）是由日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)總研）創(chuàng)立的風險投...
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2024/11/11
