作為研磨拋光用途的材料，我們通常希望它是硬度大一點(diǎn)的，這樣處理起材料來效率會(huì)比較高，我們可不期待它慢吞吞的去除材料中我們不想要的部分，天下武功唯快不破，“工作效率”可是很重要的。因此我們會(huì)使用金剛石（莫氏硬度10）、立方氮化硼、碳化硼、碳化硅，當(dāng)然還有α-氧化鋁（莫氏硬度9）等高硬度材料來作為研磨拋光材料，高硬度的磨料讓我們可以高效率對(duì)材料進(jìn)行研磨拋光處理。

磨料的一個(gè)重要考量指標(biāo)是“硬度”，但在一些特定的應(yīng)用場(chǎng)合，磨料的其它指標(biāo)也相當(dāng)?shù)闹匾缭诰芄鈱W(xué)器件，金相切片，電光晶體，硅晶片或其他半導(dǎo)體晶片，寶石，電子線路板、亞克力晶片等的最終拋光處理過程，為保證獲得的“完美拋光”的制件，我們需要選用更高純度、更小的粒徑及更窄粒徑分布的磨料粒子。

高硬度的α-氧化鋁和稍軟的伽馬氧化鋁（摩氏硬度8）都可以用作拋光粉或懸浮液。α-氧化鋁拋光粉一般可以通過煅燒或者熔融氧化鋁經(jīng)過適當(dāng)?shù)姆鬯椤⒎旨?jí)獲得。相比于熔融氧化鋁，煅燒氧化鋁的顆粒尺寸及分布的可控性更強(qiáng)。盡管α-氧化鋁憑借其高硬度、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于集成電路和玻璃基片等元器件的表面拋光，但由于煅燒氧化鋁前驅(qū)體向α氧化鋁轉(zhuǎn)化時(shí)需要在1000℃以上的高溫，在如此高溫下，前驅(qū)體極易發(fā)生硬團(tuán)聚，難以去除的大顆粒將會(huì)影響α氧化鋁的粒度分布，進(jìn)而影響拋光的精度。這些友強(qiáng)化學(xué)鍵結(jié)合的硬團(tuán)聚一般外力難以打開，需要經(jīng)過特殊工藝處理才能減少或消除。此外，由于α氧化鋁晶格能大，硬度大，無論是振動(dòng)磨、球磨還是氣流磨大多只能打開原晶的聚合體，很難破壞其原晶結(jié)構(gòu)，所以如需制取粒度要求嚴(yán)格的α氧化鋁粉體，在焙燒過程對(duì)原晶大小的工藝控制就很關(guān)鍵了。目前在許多產(chǎn)品介紹中，我們可以看到在特定的工藝條件下制取的煅燒氧化鋁粉體，其去除團(tuán)聚后其平均粒徑可達(dá)0.3μm左右。

反觀γ-氧化鋁，盡管它硬度稍小，但由于其轉(zhuǎn)化溫度較低，因此其粒徑也可以做到非常的小，而且伽馬氧化鋁的粒度分布也可以做到非常的窄，因此γ-氧化鋁可以應(yīng)用于一些非常精細(xì)的拋光要求場(chǎng)景，在許多廠家的介紹資料中，我們可以知道γ氧化鋁懸浮拋光液平均粒徑可以做到0.05μm。0.05μm的氧化鋁懸浮液既可以單獨(dú)作為機(jī)械拋光液使用，也可以配合0.05μm的二氧化硅制備成懸浮混合物，用于化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用場(chǎng)合，添加了γ氧化鋁的化學(xué)機(jī)械拋光液與普通的硅溶膠相比，其拋光效率更高 。

編輯：粉體圈Alpha