国产伦精品一区二区三区妓女-国产精品国产精品国产专区不卡-久久人人爽爽人人爽人人片AV-俺去俺来也在线WWW色官网

碳化硅粉體的制備與應用

發(fā)布時間 | 2017-11-13 09:45 分類 | 粉體加工技術 點擊量 | 14208
磨料 石英 石墨 干燥 碳化硅 石墨烯 氧化硅
導讀:

碳化硅silicon carbide),化學式為SiC,屬于共價鍵材料,C和Si同屬一族,均有四價的化合鍵,同時Si元素還具有金屬特性,兩種元素組成的物質(zhì),其結(jié)構(gòu)上具有網(wǎng)狀、體型特點,性質(zhì)上擁有高的強度,故碳化硅材料性能是良好的高溫強度、耐磨性、耐腐蝕性、高熱導、高絕緣性。

 

 

結(jié)構(gòu)決定性能,越高的性能,就要求碳化硅材質(zhì)顯微結(jié)構(gòu)的的精細化,因此其制備方法成為高性能碳化硅材料獲取的關鍵。

 

一、碳化硅粉體的制備方法

碳化硅粉體的制備方法,既有傳統(tǒng)的固相反應法,又有最新的溶膠-凝膠(sol-gel)法、激光法、等離子法,本文從大體上按氣、固、液三項對常用的方法進行分類如下。

 

1.固相法

1.1.碳熱還原法

該法由Acheson發(fā)明,具體方法:在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳還原制得碳化硅,該法獲得的碳化硅顆粒較粗,耗電量大,反應方程式為:

 

SiO2+3C=SiC+2CO

 

隨后各國對Acheson法進行了改進,如潘順龍等[1],利用炭黑和水玻璃溶液為原料,氫氣為保護氣,在高溫石墨爐中1550℃條件下反應5小時,得到碳化硅粉體。

 

1.2.-硅直接反應法

1.2.1.自蔓延高溫合成法(SHS)

外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。

 

SiO2+C+2Mg-SiC+2MgO

 

此法獲得的粉體純度高,粒度小,但需要酸洗等工序除去Mg

 

1.2.2.機械合金化法

楊曉云等[2]將碳粉和硅粉按照1:1的摩爾比制成混合粉末,磨球和磨粉按質(zhì)量比40:1封裝在氬氣罐中,在球磨機上進行機械球磨,25小時后得到平均晶粒尺寸約為6nm的碳化硅粉體。

 

 

2.液相法

2.1.溶膠-凝膠法

該法以液體化學試劑配制成Si的醇鹽前驅(qū)體,將它在低溫下溶于溶劑形成均勻的溶液,加入適當?shù)哪虅┦沟么见}發(fā)生水解、聚合反應后生成均勻而穩(wěn)定的溶膠體系,再經(jīng)過長時間放置或干燥處理,濃縮成SiC在分子水平上的混合物或聚合物,繼續(xù)加熱形成組分均勻且粒徑細小的SiO2C的兩相混合物,在1460~1600發(fā)生碳還原反應最終制得SiC細粉。

 

 

 

2.2.聚合物分解法

Chinag等[3]采用聚合物熱解方法形成玻璃碳浸入液態(tài)硅制備碳化硅陶瓷材料,采用三乙烯乙二醇、二羥基乙基醚和糠醇樹脂混合物,在有機酸的催化作用下發(fā)生聚合和糠醇相分離,然后熱解,形成微孔碳,最后液態(tài)硅燒結(jié)并去除游離硅。制得碳化硅粉體。

 

 

3.氣相法

3.1.氣相反應沉淀法

楊修春等[4]SiH4-C2H4-H2體系在1423~1673K進行研究,制得平均粒徑為11nm的碳化硅。

 

 

3.2.等離子法

于威等[5]利用等離子體化學氣相沉淀法制備了碳化硅。

 



 

3.3.激光誘導氣相法

戰(zhàn)可濤等[6]SiH4C2H4為原料氣體,制備出平均粒徑為20nm。

 


 

二、碳化硅粉體的應用

如上所述,碳化硅粉體具有高溫強度、耐磨性、耐腐蝕性、高熱導、高絕緣性等性能,而性能決定應用,碳化硅粉體的應用方向主要有以下幾類:

 

1.磨料-磨具

利用其高耐溫性及耐磨性,常常用于制作磨料-磨具。在藝術上,碳化硅是現(xiàn)代寶石因耐久性和材料成本低流行的磨料。在制造業(yè)中,它用于磨削、珩磨、水射流切割和噴砂等磨料加工過程中的硬度。碳化硅顆粒復合紙制造砂紙和滑板的握把帶。

 

 

2.結(jié)構(gòu)材料

在高溫窯爐中,碳化硅用作支撐和擱置材料,如燒制陶瓷、玻璃熔凝或玻璃澆鑄。以及生產(chǎn)一種新的用于航空、航天、汽車和微電子的強塑性合金。

 

 

3.汽車零部件

硅滲透碳-碳復合材料用于高性能的“陶瓷”剎車盤,因為它能夠承受極端溫度。碳化硅也用于燒結(jié)形成柴油微粒過濾器。SiC還用作潤滑油添加劑以減少摩擦,廢氣排放。

 

 

4.鑄造坩堝

利用碳化硅的耐高溫特性,用于執(zhí)照熔融金屬的坩堝。

 

 

5.電氣系統(tǒng)

最早應用在電氣系統(tǒng)的是避雷器。碳化硅具有電壓依賴性的電阻,因此高壓電力線和地球之間連接有碳化硅顆粒柱。

 

 

6.電子電路元件

碳化硅是第一個商業(yè)上重要的半導體材料。晶體收音機“金剛砂”(合成碳化硅)探測器二極管是1906年發(fā)明的。

 

 

7.電力電子器件

SiC芯片比硅功率器件的功率密度更高,能夠處理的溫度超過150°C。

8.發(fā)光二極管

SiC是一個重要的LED組件-它是一種流行的襯底,它也可以作為大功率LED的一個散熱片。

 

 

9.天文學

利用其低熱膨脹系數(shù)、高硬度、高剛性和導熱性,碳化硅成為天文望遠鏡的理想鏡面材料。

 

 

10.細絲高溫計

碳化硅纖維用于測量氣體的溫度在光學技術稱為細絲高溫計。它包括在熱氣流中放置細絲。

 

 

11.加熱元件

碳化硅可作為玻璃、陶瓷、電子元件等的加熱元件,如生產(chǎn)燃氣加熱器的指示燈點火器。

 

 

12.珠寶

作為寶石飾品,碳化硅被稱為“合成碳硅石”或者是“碳化硅”。

 

 

13.鋼鐵生產(chǎn)

碳化硅,溶解在煉鋼用的基本氧氣爐中,起到燃料的作用。

 

 

14.催化劑載體

碳化硅表現(xiàn)出的天然抗氧化性,以及新的合成立方β-碳化硅形式的新方法,具有較大的比表面積,引起了人們對非均相催化劑載體的極大興趣。

 

 

15.石墨烯生產(chǎn)

碳化硅被用來在高溫下石墨化生產(chǎn)石墨烯。這被認為是一種在實際應用中大規(guī)模合成石墨烯的方法。

 


 

作者:Avlon

 

參考文獻

[1] 潘順龍,楊巖峰,張敬杰,等. 水玻璃包覆炭黑直接制備超細碳化硅粉體[J]. 硅酸鹽學報,2005,33(8):980-985.

[2] 楊曉云,黃震威. 球磨碳化硅粉末合成納米碳化硅的高分辨電鏡觀察[J]. 金屬學報,2000,36(7):684-688.

[3] Chinag Y, Messnar P, Terwilliger C D. Reaction formed silicon carbide[J]. Mater. Sci. Eng., 1991,144:63-74.

[4] 楊修春,韓高榮.化學氣相反應法制備納米碳化硅粉的研究[J].功能材料,1998,29(5):523-526.

[5] 于威,王保柱,孫運濤,等. 螺旋波等離子體化學氣相沉淀法制備納米碳化硅薄膜[J].人工晶體學報,2003,32(3):272-275.

[6] 戰(zhàn)可濤,線全鋼,鄭豐等.激光法制備高純納米碳化硅粉體及其產(chǎn)率[J].北京化工大學學報,2002,29(5):75-78.


作者:粉體圈

總閱讀量:14208