日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目傳來新進展：該項目已進入產品試生產階段。

盤錦高新技術產業開發區消息顯示，百思特達是一家集研發、設計、生產、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業，致力于開創中國半導體氮化鎵芯片領域的科技新格局，其位于遼寧省盤錦高新區。該公司投資3億元建設的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發中心及綜合管理用房等建設內容。

氮化鎵半導體芯片項目于2022年12月中旬全面竣工投產，在完成廠務動力設備包含電力設備系統、水設備系統、氣化設備系統、FFU系統等調試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產設備的一、二、三階調試完成后，開始進行產品試生產。氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，將為百思特達增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升。

盤錦高新技術產業開發區消息稱，氮化鎵半導體芯片項目正式投產后，百思特達將成為擁有核心競爭力的氮化鎵芯片完整產業鏈綜合高新技術產業企業，盤錦也將成為全國氮化鎵芯片主要生產基地之一，并圍繞百思特達逐步拓展、建強第三代半導體產業鏈，為建設數字遼寧、智造強省和實現遼寧全面振興全方位振興貢獻力量。

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