據(jù)中國電科近日消息，中國電科46所超寬禁帶氮化鋁單晶材料在成核模式控制、傳質(zhì)路徑調(diào)控、應(yīng)力抑制等關(guān)鍵核心技術(shù)方面取得重大突破，加速氮化鋁單晶材料的實用化進程。

氮化鋁單晶的理論導(dǎo)熱系數(shù)為320W/(m·K)

氮化鋁單晶材料是新一代戰(zhàn)略性電子材料，是研制超高功率微波射頻器件和超短波長深紫外光電子器件的核心基礎(chǔ)，但是氮化鋁晶體生長及其襯底制備具有極高的技術(shù)壁壘。46所創(chuàng)新運用“揭榜掛帥”機制，積極布局超寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)，相繼實現(xiàn)高質(zhì)量氮化鋁單晶的穩(wěn)定制備。氮化鋁單晶材料成功研制，將進一步豐富46所電子功能材料體系，為實現(xiàn)半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵核心技術(shù)自主創(chuàng)新、打造原創(chuàng)技術(shù)策源地提供有力支撐，進一步提升集團公司在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的影響力和競爭力。

電科46所是國內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料和光纖研究與生產(chǎn)的單位之一，目前已形成四大專業(yè)領(lǐng)域：半導(dǎo)體材料、特種光纖與器件、電子專用材料理化分析及監(jiān)督檢測、電子工業(yè)儀表及電子專用設(shè)備。

信息來源：中國電科

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