據中新網遼寧新聞，9月21日，大連普蘭店區舉行招商引資項目集中簽約儀式，其中，單晶金剛石超寬禁帶半導體、5G復合器件項目總投資15億元。
圖片來源：大連普灣網
相比SiC/GaN為代表的寬禁帶半導體（禁帶寬度大于2.3電子伏特），金剛石、氮化鋁和氧化鎵等具有更寬的禁帶寬度，被稱為超寬禁帶半導體（金剛石半導體材料的禁帶寬度達5.45電子伏特），未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫的功率器件，因此研發熱度一直不減。但金剛石材料的高成本和小尺寸是制約金剛石功率電子學發展的主要障礙。
據悉，本次項目主要產品有MPCVD設備、單晶金剛石半導體材料、5G通訊芯片鍵合用IMC、多晶金剛石熱襯底、培育鉆石等。項目負責人表示，普蘭店交通區位優勢突出，在前期洽談中，該區良好的營商環境和投資環境給企業留下了深刻的印象，也堅定了企業到普蘭店投資的信心和決心。下一步，企業將深度融入普蘭店發展大環境，在發展壯大的同時，為地區經濟社會發展做出更大貢獻。
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作者：粉體圈
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