隨著汽車電動化快速進(jìn)入到2.0快充階段，對高壓充電平臺以及功率器件提出了更高要求，而SiC憑借耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)勢，在電控場景中能量損耗比Si基芯片減少一半，被認(rèn)為將取代IGBT，成為未來高壓充電平臺的核心器件，也是電動汽車性能和應(yīng)用體驗(yàn)度提升的關(guān)鍵器件，受到了市場的熱捧。SiC的產(chǎn)能正在逐步釋放，隨著產(chǎn)量不斷擴(kuò)大，成本會越來越低，從而獲得更廣泛的普及。

SiC芯片

SiC規(guī)?；宪囈验_始進(jìn)入倒計(jì)時(shí)，據(jù)了解，目前已有特斯拉Model 3、比亞迪漢、蔚來ES7/ET7/ET5、小鵬G9、吉利Smart精靈、五菱凱捷混合動力版和五菱星辰混動版等車型搭載SiC，另外，豐田、奔馳、現(xiàn)代、雷克薩斯、Lucid、Karma等品牌也有計(jì)劃推出相應(yīng)的SiC車型，新能源汽車品牌以及高端車型已成為SiC上車的重要推手。

SiC上車提速，正促使上游SiC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)加快發(fā)展，其中AMB（Active Metal Bonding，活性金屬釬焊覆銅）陶瓷基板也將受益獲得快速發(fā)展。

據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導(dǎo)熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。

SiC MOSFET封裝結(jié)構(gòu)示意圖

不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實(shí)現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善，這使得該技術(shù)目前的實(shí)現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認(rèn)為是SiC的最佳搭配方案，不過目前AMB基板的成本大約是DBC的3倍左右，這是阻礙它發(fā)展的重要因素?！睒I(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步指出，“隨著SiC不斷在汽車上取得突破，AMB有望借助新能源汽車的發(fā)展，獲得新的發(fā)展機(jī)遇，而且會隨著新能源汽車產(chǎn)銷量的不斷突破而加快滲透?！?/span>

AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯，此外在光伏、風(fēng)電、軌道交通等領(lǐng)域，也對AMB有著巨大需求，市場潛力明顯。

據(jù)了解，目前在AMB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（Rogers Corporation）、賀利氏科技集團(tuán)，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會社（NGK）、電化株式會社（Denka）、京瓷株式會社（KYOCERA Corporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團(tuán)、AMOGREENTECH等。

受益于SiC新機(jī)遇，部分國際企業(yè)已在計(jì)劃對AMB基板進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開設(shè)大分工廠，開始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴(kuò)大德國埃申巴赫工廠AMB基板產(chǎn)能。

從目前看，已有一定數(shù)量的本土企業(yè)在研發(fā)和生產(chǎn)AMB基板，其中，陶瓷基板、釬焊材料、燒結(jié)工藝、鍍銅刻蝕工序等影響著產(chǎn)品質(zhì)量，隨著市場對AMB基板的需求量進(jìn)一步擴(kuò)大，國產(chǎn)化替代的必然趨勢必將推動一批實(shí)力企業(yè)脫穎而出。

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