隨著高功率芯片在5G技術(shù)的應(yīng)用，芯片的熱量密度不斷提高，由此帶來的芯片散熱問題，已成為限制5G設(shè)備壽命和長時(shí)間安全運(yùn)行的關(guān)鍵技術(shù)。多年來，使用高導(dǎo)熱系數(shù)的熱界面材料是解決芯片散熱問題的重要技術(shù)路線，其中，核心性能指標(biāo)是高熱導(dǎo)系數(shù)和低界面熱阻。

液態(tài)金屬因具有低熔點(diǎn)特性使其兼具了高導(dǎo)熱性和低界面熱阻特性，是解決高功率5G芯片的散熱難題的潛在新材料。液態(tài)純金屬種類稀少，一般在實(shí)際中使用的是液態(tài)合金材料，需具備以下特點(diǎn)：①物理化學(xué)性能優(yōu)良，如高熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率、低粘度等；②環(huán)境友好、無毒無害、非易燃易爆、易于回收利用，具有較低的蒸汽壓和揮發(fā)性；③成本宜盡可能低。典型類型有鎵基合金、鉍基合金等。

鎵基合金液態(tài)金屬

目前，液態(tài)金屬在工信部出臺(tái)的《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄》列入為前沿新材料，由發(fā)改委、工信部、科技部、財(cái)政部聯(lián)合制定的《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》也將液態(tài)金屬列為重點(diǎn)扶持方向之一。

根據(jù)金屬材料成分和配比的不同，最終形成的液態(tài)金屬材料將具備不同的功能與特性，比如與共晶Ga-In-Sn液態(tài)金屬相比，共晶Ga-Sn-Zn液態(tài)金屬的熔化溫度和表面張力更高，而熱膨脹系數(shù)、密度、黏度、導(dǎo)電率和導(dǎo)熱系數(shù)更低。依據(jù)電子器件的散熱要求，可以靈活設(shè)計(jì)出相應(yīng)的液態(tài)金屬導(dǎo)熱產(chǎn)品，有利于實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的散熱解決方案。但在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，液態(tài)金屬也會(huì)有泄漏以及與散熱器材料互溶等隱患，如何通過改進(jìn)工藝達(dá)到更佳的使用效果，就需要廠商依據(jù)產(chǎn)品的性能特點(diǎn)做好應(yīng)用設(shè)計(jì)。

液態(tài)金屬導(dǎo)熱產(chǎn)品

在即將于本周的2022年2月18-19日，在東莞舉辦“2022年全國導(dǎo)熱粉體材料創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，將由來自東莞理工學(xué)院的巫運(yùn)輝博士講解報(bào)告“液態(tài)金屬及其復(fù)合材料在芯片散熱領(lǐng)域的研究進(jìn)展與應(yīng)用”，報(bào)告將重點(diǎn)圍繞液態(tài)金屬材料的性能與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、液態(tài)金屬導(dǎo)熱膏、低熔點(diǎn)液態(tài)金屬導(dǎo)熱片三大方向展開，為大家整體介紹液態(tài)金屬及其復(fù)合材料在芯片散熱領(lǐng)域當(dāng)前的發(fā)展?fàn)顩r及應(yīng)用前景，如有興趣，請(qǐng)千萬不要錯(cuò)過！

報(bào)告人簡介

巫運(yùn)輝博士，東莞理工學(xué)院拔尖青年人才，中國復(fù)合材料學(xué)會(huì)介電高分子復(fù)合材料與應(yīng)用學(xué)會(huì)委員，從事功能高分子材料及液態(tài)金屬導(dǎo)熱材料研究，主持過國家項(xiàng)目1項(xiàng)、省部級(jí)項(xiàng)目2項(xiàng)、企業(yè)委托項(xiàng)目多項(xiàng)，發(fā)表SCI論文10余篇，申請(qǐng)發(fā)明專利9件。

粉體圈會(huì)務(wù)組

本文為粉體圈原創(chuàng)作品，未經(jīng)許可，不得轉(zhuǎn)載，也不得歪曲、篡改或復(fù)制本文內(nèi)容，否則本公司將依法追究法律責(zé)任。