碳化硅（SiC）功率器件具有一系列的優(yōu)點，如導電率高、開關(guān)速度快、功耗小等。它也在更高的溫度和電壓下工作。利用這些優(yōu)點，它提高了功率MOSFET的效率和功率密度。IGBT牽引逆變器仍有市場，尤其是對于更傳統(tǒng)的混合動力汽車。SiC將比IGBT更昂貴，但與IGBT相比，SiC必將提高整體效率。

Rohm最近宣布前年開工的Apollo工廠擴建碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)能項目完工，新工廠采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù)，提供100%的綠色制造。Rohm美國公司總裁Jay Barrus和技術(shù)營銷經(jīng)理Ming Su稱，公司正致力于通過增加晶圓直徑和使用最新設備來降低制造業(yè)對環(huán)境的影響，從而提高制造效率。

位于日本本土的Apollo工廠

Barrus說，“集團生產(chǎn)碳化硅晶片的SiCrystal GmbH公司將開始使用100%的可再生能源生產(chǎn)，將工廠能源采購產(chǎn)生的二氧化碳排放量降至零。所有主要的碳化硅晶圓生產(chǎn)過程都將使用可再生能源。” “公司的第四代SiC MOSFET在更薄的SiC芯片上采用了雙溝道MOSFET結(jié)構(gòu)，可將漏源導通電阻RDS(ON)降低40%，對于大功率系統(tǒng)，MOSFET芯片級電流密度的增加將與SiC芯片兩側(cè)的焊接和銀燒結(jié)兼容性相結(jié)合，以提高功率循環(huán)可靠性，并通過靈活的模塊封裝實現(xiàn)更好的熱性能。”

由于相對于IGBT的容量和競爭力，Su指出成本優(yōu)化仍然是需要的。“我們計劃在今年年底發(fā)布新一代SiC mosfet，以支持電動汽車的生產(chǎn)。我們正在優(yōu)化使用6英寸晶圓的碳化硅生產(chǎn)效率，在未來，我們肯定已經(jīng)在準備進一步準備和升級到8英寸晶圓。”

參考來源：eetimes

編譯：YUXI