碳化硅（SiC）功率器件具有一系列的優(yōu)點(diǎn)，如導(dǎo)電率高、開(kāi)關(guān)速度快、功耗小等。它也在更高的溫度和電壓下工作。利用這些優(yōu)點(diǎn)，它提高了功率MOSFET的效率和功率密度。IGBT牽引逆變器仍有市場(chǎng)，尤其是對(duì)于更傳統(tǒng)的混合動(dòng)力汽車。SiC將比IGBT更昂貴，但與IGBT相比，SiC必將提高整體效率。

Rohm最近宣布前年開(kāi)工的Apollo工廠擴(kuò)建碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)能項(xiàng)目完工，新工廠采用工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，提供100%的綠色制造。Rohm美國(guó)公司總裁Jay Barrus和技術(shù)營(yíng)銷經(jīng)理Ming Su稱，公司正致力于通過(guò)增加晶圓直徑和使用最新設(shè)備來(lái)降低制造業(yè)對(duì)環(huán)境的影響，從而提高制造效率。

位于日本本土的Apollo工廠

Barrus說(shuō)，“集團(tuán)生產(chǎn)碳化硅晶片的SiCrystal GmbH公司將開(kāi)始使用100%的可再生能源生產(chǎn)，將工廠能源采購(gòu)產(chǎn)生的二氧化碳排放量降至零。所有主要的碳化硅晶圓生產(chǎn)過(guò)程都將使用可再生能源?！?“公司的第四代SiC MOSFET在更薄的SiC芯片上采用了雙溝道MOSFET結(jié)構(gòu)，可將漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)降低40%，對(duì)于大功率系統(tǒng)，MOSFET芯片級(jí)電流密度的增加將與SiC芯片兩側(cè)的焊接和銀燒結(jié)兼容性相結(jié)合，以提高功率循環(huán)可靠性，并通過(guò)靈活的模塊封裝實(shí)現(xiàn)更好的熱性能?！?/span>

由于相對(duì)于IGBT的容量和競(jìng)爭(zhēng)力，Su指出成本優(yōu)化仍然是需要的。“我們計(jì)劃在今年年底發(fā)布新一代SiC mosfet，以支持電動(dòng)汽車的生產(chǎn)。我們正在優(yōu)化使用6英寸晶圓的碳化硅生產(chǎn)效率，在未來(lái)，我們肯定已經(jīng)在準(zhǔn)備進(jìn)一步準(zhǔn)備和升級(jí)到8英寸晶圓。”

參考來(lái)源：eetimes

編譯：YUXI