日前，美國陸軍與萊斯大學簽署了一項為期5年、耗資3000萬美元，開展網絡和先進材料研究的合作協議，其中就包括將金剛石材料作為改進射頻電子技術中GaN的超寬帶帶隙替代品。

金剛石具有高電子遷移率、高熱導率、和低介電常數等優異的電學性質。在半導體領域中，金鋼石通過摻雜，可呈現n型導電和p型導電，性能遠超GaAs，GaN，SiC等材料，被業界譽為“終極半導體”。

今年4月，陸軍軍方到訪萊斯大學并提出了開展美國下一代無線網絡和射頻電子設備的研究，向陸軍提供先進的情報、監視和偵察能力的訴求。就此，萊斯大學金剛石材料研究團隊表示，“增強射頻硬件也有助于改善建立和管理無線網絡的過程。”

團隊致力于“開發GaN的超寬帶隙替代品，以改進射頻電子技術”，建立一個用于‘生長超純金剛石薄膜、金剛石異質結構和其它可用于射頻電子原型機的材料’的設施成為了首個項目規劃。研究團隊表示，“同時，此類技術將促進農村寬帶經濟、及時預災應災、以及在線教育等等，造福世界。”可以看出，隨著金剛石半導體的合成、摻雜、生產技術的成熟，將會對高端制造業及前沿高新技術領域產生顯著影響，包括更快的超級計算機、先進的雷達和電信系統、以及下一代航空航天電子設備等。

備注：

介于天然金剛石的稀缺性，又考慮到金剛石半導體誘人的前景，在我國，功能性人造金剛石已被列入《產業結構調整指導目錄（2019）》鼓勵類欄目。國際上，日本、歐洲、美國在半導體金剛石材料研究領域處于國際領先，國內半導體金剛石材料研究剛剛起步。材料學家預測，CVD半導體器件的問世和應用，會是電子技術的一場革命。

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