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俄中澳日四國研發氮化硼新型半導體材料:厚度僅一個分子

發布時間 | 2017-08-22 16:10 分類 | 技術前沿 點擊量 | 3886
氮化硼
導讀:早前,據俄媒報道,莫斯科鋼鐵冶金學院(NUST MISIS)的科學家與北京交通大學、澳大利亞昆士蘭科技大學以及日本國立材料科學研究所的同事們一起開發出一項技術,制成厚度為一個分子的氮化硼新型半...

早前,據俄媒報道,莫斯科鋼鐵冶金學院(NUST MISIS)的科學家與北京交通大學、澳大利亞昆士蘭科技大學以及日本國立材料科學研究所的同事們一起開發出一項技術,制成厚度為一個分子的氮化硼新型半導體材料。這項發現可用于制造納米處理器,它是現有處理器的千分之一。

 

據研究人員表示,它將更省電,從而使電池微型化,將出現大批“看不見”的電子產品:極輕的心臟起搏器,便宜的VR眼鏡,耳環型手機和其他可穿戴設備,這些設備目前要么昂貴,要么根本無法制造。

 

 

 

此項研究的合作者之一,NUST MISIS“納米無機材料”實驗室主要研究員帕維爾·索羅金表示,新技術可應用于各個領域。俄媒援引他的話稱:“我們的發現可使這一材料在諸如光伏、光電,能量儲存等科學和技術領域得到積極運用”。

 

NUST MISIS電子學、自旋電子學和光子學中的納米技術應用研究所副教授阿列克謝·格列霍夫表示:“這種材料的應用領域多樣——從電子設備、傳感器到生物相容性結構材料。在電子學方面,可以使耗電量得到降低,性能得到增強和緊湊性得到增加,前景顯而易見。然而,達到這一材料的實際應用,還需要走很多路?!?/span>

 

參考來源:俄羅斯衛星通訊社


作者:粉體圈

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