近日,華東理工大學(xué)化學(xué)學(xué)院計(jì)算化學(xué)中心,龔學(xué)慶教授課題組的研究成果,《氧空位在二氧化鈰(111)面的聚集行為:羥基的關(guān)鍵作用》,【 “Clustering of oxygen vacancies atCeO2(111): Critical role of hydroxyls”】化解了該研究領(lǐng)域?qū)Χ趸嫳砻嫜跞毕萁Y(jié)構(gòu)多年的爭(zhēng)論。

龔學(xué)慶教授及其博士生吳新平利用密度泛函理論(DFT)計(jì)算,創(chuàng)新性地提出并證實(shí)一種令人意想不到的解釋模型,即材料當(dāng)中難以去除的羥基誘導(dǎo)了氧缺陷的聚集,能量上最優(yōu)及次優(yōu)的聚集形式恰好是直線形及三角形,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全吻合。
近20年來(lái),許多實(shí)驗(yàn)學(xué)家利用掃描隧道顯微鏡(STM)及原子力顯微鏡(AFM)研究了稀土二氧化鈰(CeO2)(111)面上的表面氧缺陷結(jié)構(gòu),觀測(cè)到高還原的CeO2(111)表面的氧缺陷有聚集傾向,并且主要以直線形和三角形為主。而諸多理論學(xué)家的計(jì)算結(jié)果卻與之相悖,指出氧缺陷之間存在“排斥作用”,傾向于單個(gè)存在,導(dǎo)致了實(shí)驗(yàn)與理論長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年的爭(zhēng)論。
該研究工作不僅化解了二氧化鈰表面氧缺陷結(jié)構(gòu)數(shù)十年來(lái)的爭(zhēng)論,并且更加規(guī)范了缺陷模型,將有助于研究其它可還原性金屬氧化物的缺陷結(jié)構(gòu)及其物化性質(zhì)。
粉體圈·郜白
參考來(lái)源:華東理工大學(xué)化學(xué)學(xué)院
作者:粉體圈
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