12月11日，由北京大學(xué)東莞光電研究院、第三代半導(dǎo)體專利聯(lián)盟、東莞燕園知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司共同籌辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)高峰論壇在東莞舉行。廣東省知識產(chǎn)權(quán)局副局長謝紅表示，今后，廣東省知識產(chǎn)權(quán)局將會聚焦包括第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，不斷加大產(chǎn)業(yè)企業(yè)知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)力度，為產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)轉(zhuǎn)型升級提供動力支持，努力支撐高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點。和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的導(dǎo)熱率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

其技術(shù)及應(yīng)用的突破成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地，包括中、美、日、歐、韓等發(fā)達(dá)國家在內(nèi)的各國政府都紛紛加緊在該領(lǐng)域的部署。廣東是中國專利第一大省，也是中國LED照明專利申請量大省。在推動LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，廣東提出了技術(shù)專利標(biāo)準(zhǔn)化的路徑，有了標(biāo)準(zhǔn)才能快速地進(jìn)入市場。這經(jīng)驗可以推廣到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乃至其它戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中。

粉體圈·郜白

參考來源：中國新聞網(wǎng)