在半導(dǎo)體制程中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是決定芯片精度與良率的關(guān)鍵工藝之一，無論是晶圓的表面平整度，還是納米級圖形的成型精度，都離不開CMP加工的支持。而在這道技術(shù)門檻極高的工藝中，“磨粒”——也就是CMP拋光液中的核心成分，正扮演著至關(guān)重要的角色。

CMP用拋光液中，納米磨粒不僅決定了材料的去除效率，也是影響工件表面粗糙度、缺陷密度與良率的核心因素之一。隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，對磨粒性能提出了更苛刻的要求——粒徑分布更窄、形貌更穩(wěn)定、分散性更好、表面活性更精準(zhǔn)控制。特別是在平面化要求更高的先進(jìn)封裝中，磨粒材料的配方創(chuàng)新正變得越來越關(guān)鍵。

如果您對CMP液配方的設(shè)計(jì)邏輯、新型納米磨粒的發(fā)展趨勢，或想了解從材料微觀結(jié)構(gòu)出發(fā)如何實(shí)現(xiàn)“更快、更平、更穩(wěn)”的拋光目標(biāo)，歡迎來到將在2025年7月24-25日于東莞喜來登大酒店舉辦的“2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇（第三屆）”。

屆時(shí)，來自寧波贏晟新材料有限公司的林杰工程師上發(fā)表專題報(bào)告《半導(dǎo)體材料與集成電路拋光中的磨粒與應(yīng)用》。報(bào)告將系統(tǒng)介紹：

1）CMP工藝中常見的納米磨粒材料種類與功能；

2）全球CMP磨粒市場現(xiàn)狀與應(yīng)用規(guī)模；

3）關(guān)鍵性能指標(biāo)對CMP拋光效果的影響；

4）磨粒在新一代半導(dǎo)體材料加工中的技術(shù)進(jìn)展。

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關(guān)于報(bào)告人

林杰，寧波贏晟新材料有限公司應(yīng)用主任工程師。碩士畢業(yè)于上海工程技術(shù)大學(xué)，在由孫韜博士帶領(lǐng)的微納制造先進(jìn)材料研究團(tuán)隊(duì)中研究聲信號在線監(jiān)測SiC拋光，參與國家自然科學(xué)“摩擦催化增強(qiáng)自銳性固結(jié)磨粒拋光墊高效無損拋光SiC單晶基礎(chǔ)研究”，發(fā)表SCI論文2篇。

東莞拋光論壇會(huì)務(wù)組