先進(jìn)半導(dǎo)體制程中，多層布線結(jié)構(gòu)要求每層表面絕對(duì)平整（劃痕、殘留顆粒會(huì)導(dǎo)致電路短路或斷路）。CMP通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的動(dòng)態(tài)協(xié)同機(jī)制，實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)甚至原子級(jí)平整（粗糙度 Ra < 0.1nm，全局平坦度GBIR誤差 ≤10nm），是當(dāng)前唯一能實(shí)現(xiàn)全局與局部平坦化的核心工藝，直接決定集成電路的良率和性能。

CMP是多材料協(xié)同作用的工藝過程，核心的精密磨料材料種類包括氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、碳化硅等，這些磨料和助劑通過嚴(yán)格復(fù)合才能配制出適應(yīng)不同應(yīng)用場景的拋光液。眾所周知，CMP對(duì)磨料要求極為嚴(yán)苛，包括超高的純度，精準(zhǔn)均勻的粒徑分布，兼顧效率與表面質(zhì)量的形貌設(shè)計(jì)，影響硬度的晶相，影響分散性的表面活性基團(tuán)和電荷等。

武左佐博士，浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士后，合作導(dǎo)師為半導(dǎo)體領(lǐng)域著名科學(xué)家-中國科學(xué)院楊德仁院士。主要從事集成電路硅晶圓化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）相關(guān)研究，以第一、通訊作者發(fā)表投寄 SCI 核心論文 15 余篇；申請國家發(fā)明專利 3 項(xiàng)；參與科技部重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目 1 項(xiàng)（本單位排第 2）；獲得國家級(jí)/省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì) 3 項(xiàng)。在定于2025年7月24-25日東莞喜來登大酒店舉辦的2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇（第三屆），她將作“集成電路硅晶圓CMP精密磨料技術(shù)”的主題報(bào)告，主要介紹精密磨料對(duì)硅晶圓拋光性能的影響及可控制備技術(shù)。精密磨料的典型參數(shù)有哪些，制備關(guān)鍵技術(shù)有哪些？對(duì)于想要進(jìn)入CMP產(chǎn)業(yè)鏈條的企業(yè)來說，該報(bào)告是了解磨料開發(fā)難點(diǎn)和量產(chǎn)路徑的系統(tǒng)性學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)！

報(bào)告人簡介

武左佐：中國旅德學(xué)者化學(xué)化工學(xué)會(huì)（GCCCD）會(huì)員，浙江省高性能硅材料裝備全省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室固定成員，浙江大學(xué)助理研究員，浙江大學(xué)上虞半導(dǎo)體材料研究中心副研究員。博士畢業(yè)于德國海德堡大學(xué)（University of Heidelberg），師從歐洲科學(xué)院院士 A. Stephen . K. Hashmi 教授。浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士后，合作導(dǎo)師半導(dǎo)體領(lǐng)域著名科學(xué)家-中國科學(xué)院楊德仁院士。

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