先進半導體制程中，多層布線結構要求每層表面絕對平整（劃痕、殘留顆粒會導致電路短路或斷路）。CMP通過化學腐蝕與機械研磨的動態協同機制，實現晶圓表面納米級甚至原子級平整（粗糙度 Ra < 0.1nm，全局平坦度GBIR誤差 ≤10nm），是當前唯一能實現全局與局部平坦化的核心工藝，直接決定集成電路的良率和性能。

CMP是多材料協同作用的工藝過程，核心的精密磨料材料種類包括氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、碳化硅等，這些磨料和助劑通過嚴格復合才能配制出適應不同應用場景的拋光液。眾所周知，CMP對磨料要求極為嚴苛，包括超高的純度，精準均勻的粒徑分布，兼顧效率與表面質量的形貌設計，影響硬度的晶相，影響分散性的表面活性基團和電荷等。

武左佐博士，浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室博士后，合作導師為半導體領域著名科學家-中國科學院楊德仁院士。主要從事集成電路硅晶圓化學機械拋光（CMP）相關研究，以第一、通訊作者發表投寄 SCI 核心論文 15 余篇；申請國家發明專利 3 項；參與科技部重點研發項目 1 項（本單位排第 2）；獲得國家級/省部級獎勵 3 項。在定于2025年7月24-25日東莞喜來登大酒店舉辦的2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇（第三屆），她將作“集成電路硅晶圓CMP精密磨料技術”的主題報告，主要介紹精密磨料對硅晶圓拋光性能的影響及可控制備技術。精密磨料的典型參數有哪些，制備關鍵技術有哪些？對于想要進入CMP產業鏈條的企業來說，該報告是了解磨料開發難點和量產路徑的系統性學習機會！

報告人簡介

武左佐：中國旅德學者化學化工學會（GCCCD）會員，浙江省高性能硅材料裝備全省重點實驗室固定成員，浙江大學助理研究員，浙江大學上虞半導體材料研究中心副研究員。博士畢業于德國海德堡大學（University of Heidelberg），師從歐洲科學院院士 A. Stephen . K. Hashmi 教授。浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室博士后，合作導師半導體領域著名科學家-中國科學院楊德仁院士。

東莞拋光論壇會務組