鈰基稀土拋光材料是一類以鈰（Ce）為主要成分的高性能拋光材料，區別于氧化鋁、金剛石等依賴自身高硬度磨料的“暴力”，它利用獨特的Ce3?/Ce??氧化還原循環與氧空位活性，進行“化學-機械”協同作業，從而在分子層面實現“精準拆解”，廣泛應用于半導體領域、光學器件與消費電子、顯示面板、新能源與綠色技術、汽車工業等領域，具有高拋光效率、低表面損傷、選擇性拋光、及高穩定性的特點。

應用案例簡析

1、硅晶圓——當前依然占據半導體主流的硅晶圓制造工藝中，全局平坦化、STI（淺溝槽）、ILD（層間介質層）、IMD（金屬間介質層）的CMP拋光液中少不了氧化鈰的身影。CeO?表面氧空位（Vo）吸附H?O生成羥基（-OH），促進局部水解反應，降低機械去除力，不僅能夠降低平整度誤差，還能在選擇性拋光中保護介質層。（介質層保留滿足層間絕緣要求）

2、光學器件——包括相機鏡頭、光學儀器透鏡等，以著名的蔡司鏡頭和EUV光刻機物鏡為例，對粗糙度要求極高，幾乎不能出現任何“硬碰硬”的情況。為避免劃傷，實現“無應力”拋光作業，就需要以化學反應來主導表面處理。氧化鈰的作用即優先溶解玻璃表面Si-O-Si弱鍵而形成選擇性刻蝕。

3、SiC晶圓——作為第三代化合物半導體材料，碳化硅極其堅硬，其拋光困難程度幾乎成為產業最大瓶頸，而氧化鈰被認為是當前產業解題的秘鑰之一。據悉，業內已開發氧化鋁磨粒與鈰基稀土拋光材料復配的拋光液，其在拋光速率、成本、表面質量等方面打破傳統工藝的記錄。

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蕭桐總監曾負責包頭羅地亞（現為包頭昊銳）ATS稀土拋光粉生產線項目整體規劃及生產工藝設計，并主持項目試車；曾在羅地亞（中國）上海研發中心擔任工藝專家，負責G2稀土拋光粉工藝研究及放大；曾領導圣戈班亞太區研發中心，將圣戈班（美國）三家工廠遷址至中國。

定于2025年7月24-25日，在東莞喜來登大酒店舉辦2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇（第三屆）上，深圳君鋮芯半導體材料有限公司研發總監蕭桐將作題為“氧化鈰拋光機理探討”的報告，深入探討鈰基稀土拋光材料的拋光機理，分別從拋光材料和待拋材料的角度闡述氧空位與Ce³⁺/Ce⁴⁺的關系、化學拋光過程。

筆者注：比利時索爾維（法國羅地亞）是業內公認的全球高端稀土拋光粉的技術定義者與產能領導者，ATS稀土拋光粉以分散性，化學活性和高一致性聞名于世，也是蔡司（ZEISS）、阿斯麥（ASML）、康寧（Corning）等光學巨頭指定供應商；圣戈班研磨材料業務憑借?尖端材料技術?、?全產業鏈解決方案?及?高端市場滲透力?，穩居全球精密拋光領域第一梯隊。

報告人簡介

蕭桐，華東理工大學化學分子工程學院碩士，中國稀土學會會員。本人有著三十年稀土鈰基拋光材料研發及量產經驗，具備多家頂級材料外企（比利時索爾維、法國羅地亞、圣戈班）生產管理經驗。現主要負責深圳君鋮芯半導體材料有限公司研發、工藝放大及生產交付等工作。

東莞拋光論壇會務組