最近，日本NGK（日本特殊陶業株式會社）宣布與AIST（國家先進工業科學技術研究所）啟動意向聯合研究，旨在實現對超薄氮化硅基板（厚度＜0.5mm）散熱效率的精確檢測和評估，以期達成行業標準，提升日本相關產品在全球電子設備市場的競爭力。

左：氮化硅基板 右：活性金屬釬焊（AMB）襯底

近年來，氮化硅以兼顧高熱導率、高機械強度、良好的絕緣性等特性被選為封裝基板材料。AMB技術通過微米級結合層連接陶瓷基板與銅箔，同時盡可能降低熱阻和內應力，從而為半導體功率模塊提供高效散熱。其作為關鍵材料，已在混合動力和電動車（EV/HEV）電源模塊中得到廣泛應用。顯而易見的是，熱量從芯片（如IGBT、SiC MOSFET）到散熱器的傳遞路徑越短，散熱效率就越高。因此對陶瓷襯底減薄可以改善散熱，繼而提升功率半導體模塊效率；或以此減少散熱系統體積，提高功率密度，實現EV/HEV的輕量化。

目前缺乏評價低于0.5毫米厚度襯底散熱性能的明確方法，日本現行工業標準(JIS)在該領域空白，因此在確保測量結果的一致性方面遇到了挑戰。關于NGK不必過多贅述，AIST是旨在調用科學技術專長，加快開放創新的步伐，以應對社會挑戰并增強工業競爭力的國立科研機構。本次研究將結合NGK及其先進的陶瓷襯底技術，搜集影響基材熱擴散率測量的初步過程的量化數據，并對評價方法及其廣泛的知識進行研究。

編譯整理 YUXI