9月24日，Resonac（力森諾科）宣布，與生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體襯底材料的法國Soitec正式合作簽約，共同開發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的200毫米（8英寸）碳化硅鍵合晶圓，以此達(dá)成8英寸碳化硅晶圓的低成本和批量生產(chǎn)。

Resonac的SiC外延片

過去我們曾經(jīng)介紹過，Resonac Group是昭和電工集團(tuán)和昭和電工材料集團(tuán)（原日立化成集團(tuán)）于2023年1月合并而成的新公司，目前也是半導(dǎo)體“后處理”（封裝）材料領(lǐng)域是世界第一。封裝業(yè)務(wù)之外，Resonac在昭和電工時(shí)期（2022年9月）宣布，正式向客戶提供用于碳化硅功率半導(dǎo)體的200mmSiC外延片（SiC epi-wafers）。

簡單科普下，SiC外延片是在碳化硅單晶襯底上生長而來，而碳化硅單晶襯底的制備對原料、工藝、設(shè)備都有嚴(yán)苛要求，且產(chǎn)率普遍較低，當(dāng)前能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品仍以4-6英寸為主。

SmartSiC^TM專利技術(shù)切割的碳化硅晶圓片

Soitec擁有獨(dú)特的技術(shù)，對高品質(zhì)SiC單晶（高質(zhì)量）晶片進(jìn)行加工，將加工后的表面貼合到作為支撐基板的多晶SiC（低質(zhì)量）晶片上，從而制作出單一的SiC單晶（鍵合）基板。以過去該公司在150毫米晶圓上開發(fā)的案例計(jì)算，該方法可以將一個(gè)單晶碳化硅襯底變成10個(gè)“三明治”層壓板。這種鍵合襯底除了提高生產(chǎn)率外，還可在SiC晶圓制造過程中減少高達(dá)70%的二氧化碳排放，這在環(huán)境影響和成本方面都具有優(yōu)勢。

本次合作簡而言之，Resonac將向Soitec供應(yīng)SiC單晶襯底，Soitec將通過專利切割鍵合技術(shù)，將該單晶襯底制造成十倍量的SiC鍵合基板。

編譯整理 YUXI