9月24日，Resonac（力森諾科）宣布，與生產先進半導體襯底材料的法國Soitec正式合作簽約，共同開發生產應用于功率半導體的200毫米（8英寸）碳化硅鍵合晶圓，以此達成8英寸碳化硅晶圓的低成本和批量生產。

Resonac的SiC外延片

過去我們曾經介紹過，Resonac Group是昭和電工集團和昭和電工材料集團（原日立化成集團）于2023年1月合并而成的新公司，目前也是半導體“后處理”（封裝）材料領域是世界第一。封裝業務之外，Resonac在昭和電工時期（2022年9月）宣布，正式向客戶提供用于碳化硅功率半導體的200mmSiC外延片（SiC epi-wafers）。

簡單科普下，SiC外延片是在碳化硅單晶襯底上生長而來，而碳化硅單晶襯底的制備對原料、工藝、設備都有嚴苛要求，且產率普遍較低，當前能夠量產的產品仍以4-6英寸為主。

SmartSiC^TM專利技術切割的碳化硅晶圓片

Soitec擁有獨特的技術，對高品質SiC單晶（高質量）晶片進行加工，將加工后的表面貼合到作為支撐基板的多晶SiC（低質量）晶片上，從而制作出單一的SiC單晶（鍵合）基板。以過去該公司在150毫米晶圓上開發的案例計算，該方法可以將一個單晶碳化硅襯底變成10個“三明治”層壓板。這種鍵合襯底除了提高生產率外，還可在SiC晶圓制造過程中減少高達70%的二氧化碳排放，這在環境影響和成本方面都具有優勢。

本次合作簡而言之，Resonac將向Soitec供應SiC單晶襯底，Soitec將通過專利切割鍵合技術，將該單晶襯底制造成十倍量的SiC鍵合基板。

編譯整理 YUXI