自2022年底OpenAI發(fā)布ChatGPT以來，NVIDIA的GPU作為最重要的AI硬件也直接讓公司股價起飛，截至2024年6月，NVIDIA的市值達到了3.3萬億美元，一舉超越了微軟和蘋果，成為全球市值最高的公司。現在又輪到本文主角——高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）爆火，它也被業(yè)界視為NVIDIA的AI芯片獲得成功的最大助力！

NVIDIA的GPU是當前AI硬件首選

最新動態(tài)

最近業(yè)內媒體突然爆料，SK Hynix將在10月投產為下一代NVIDIA AI芯片開發(fā)的最新第六代HBM4內存——它的通道寬度是上一代HBM3E內存的兩倍（從1024升至2048），允許堆疊16個DRAM芯片（HBM3E為12個），單個堆棧的容量將達到64GB，而HBM3E上只有32GB。簡單總結，新產品將比現有HBM高20到30倍的性能。而另一家韓國科技企業(yè)三星電子也已計劃下季度推出自己開發(fā)的HBM內存，并計劃在2025年底實現量產。

CMP國產化

韓國企業(yè)有能力紛紛入局AI，與其相關原材料國產化加速有密切關系。比如在去年10月，韓國材料公司Soulbrain透露，其已向三星電子和SK Hynix供應HBM專用化學機械拋光（CMP）漿料，打破了此前由美國Cabot和日本FUJIMI等企業(yè)的壟斷。這種CMP漿料主要用于去除HBM工藝中形成的銅層——每個HBM堆棧需要在DRAM芯片上鉆1000多個孔，再用銅填充這些孔，通過一種稱為硅通孔工藝創(chuàng)建布線。布線過程中，多余的銅可能會溢出DRAM表面，Soulbrain國產化的漿料則可以同時拋光硅并有效去除多余的銅。

新型HBM的硅通孔布線示意圖

其他支撐

除了CMP漿料，還有芯片橋接用焊球（solder balls）長期被住友金屬壟斷，它主要用于在集成電路芯片和印刷電路板（PCB）之間建立電氣連接和機械支撐，同樣也由韓國本土的DUKSAN Hi-Metal公司成功開發(fā)，類似案例還有YC Chem開發(fā)并實現了TSV用光刻膠的國產化，等等。

小結

韓國曾經經歷過來自外部的關鍵材料制裁，深知國產替代的重要性。假使本文介紹的支撐原材料依然不能自主，依賴于外部并不穩(wěn)定的供應體系，勢必導致三星電子和SK Hynix等公司在定價和供應談判方面處于不利地位。相反，在國產替代支撐下，隨著三星電子和SK Hynix擴大其HBM開發(fā)和生產能力，也有利于整個韓國半導體和AI生態(tài)系統愈發(fā)完善健康，達成產業(yè)的良性循環(huán)。

粉體圈 啟東