上月初，在首爾舉行為期兩天的“SK AI峰會”上，SK海力士（SK hynix）正式宣布開發目前全球最大容量的48GB(千兆字節)HBM（高帶寬存儲器）——16層堆疊HBM3E，并展示了其卓越的核心成果。

現階段，知名企業如SK hynix、Micron、三星等，都在大力開發HBM3E內存模塊，并且在較小層數（如8層或12層）的HBM3E量產方面取得一定的進展。其中，SK hynix已在今年9月宣布率先開始量產12層HBM3E（36GB），也是目前全球HBM產品中容量最大的。

編者注：

所謂MR-MUF是Mass Reflow Molded Underfill的縮寫，先進MR-MUF技術則是基于第一代技術的升級版本，具有翹曲控制功能(Warpage Control)，可實現無翹曲堆疊，芯片厚度比傳統芯片薄40%，此技術采用新型保護材料，可有效改善散熱性能。

混合鍵合(Hybrid Bonding)：一種無需凸點便可將芯片直接連接在一起從而實現更高帶寬和容量的技術。通過這一措施,芯片整體厚度將變的更薄,可以實現更高堆疊。目前該技術正在考慮用于16層及以上的HBM產品。 SK海力士正在考慮采用結合先進MR-MUF和混合鍵合方式。

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參加本次峰會的有OpenAI總裁兼首席執行官格雷格·布羅克曼(Greg Brockman)，及微軟全球副總裁拉尼·博卡爾(Rani Borkar)等，可見該硬件模塊對AI產業的重要性。SK hynix社長表示，“我們通過堆疊16層DRAM芯片成功實現了48GB的容量，并應用了量產獲得驗證的先進MR-MUF技術，同時還在積極開發作為后端工藝的混合鍵合(Hybrid Bonding)技術。” 他補充道：“與12層堆疊產品相比，新品使AI的學習性能最高可提升18%、推理性能有望最高可提升32%”。公司計劃于2025年實現16層堆疊HBM3E的商業化。”負責產品開發的SK hynix副社長則表示，“隨著AI算力成本攀升，為了實現性能與成本的雙重優化，定制型HBM正逐漸被開發。目前，我們正通過客戶、代工廠和存儲器供應商的三方協作，來積極應對這一行業挑戰。”

編譯整理 YUXI