以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料相較前兩代半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、高擊穿電場、高電子飽和漂移速率等物理特性，并且化學(xué)性能穩(wěn)定，有很強(qiáng)的耐腐蝕性，因而在核能、軍工、航空航天等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。但由于碳化硅材料具有硬度高、斷裂韌性低的特點(diǎn)，在加工過程中極容易出現(xiàn)裂紋和損傷；同時(shí)，碳化硅表面加工的質(zhì)量和精度的優(yōu)劣會直接影響外延薄膜的質(zhì)量及器件的性能，當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP）是業(yè)界公認(rèn)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料全局平坦化最有效的方法，但關(guān)于它的材料去除機(jī)理、過程變量對碳化硅表面材料去除率和表面質(zhì)量的影響等許多問題尚未完全研究清楚，使得碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程受到一定的影響。

氧化鈰（CeO₂）作為一種具有優(yōu)異拋光性能的磨料，具有切削力強(qiáng)、拋光時(shí)間短、使用壽命長、拋光精度高的特點(diǎn)，常應(yīng)用于光學(xué)玻璃器件、電視機(jī)顯像管、半導(dǎo)體晶片等器件的拋光。氧化鈰在拋光過程中化學(xué)穩(wěn)定性較好，不易與拋光液中的其他成分發(fā)生不良反應(yīng)，有利于維持拋光液的穩(wěn)定性和使用壽命，相較于其他磨料，它對環(huán)境的影響較小，符合當(dāng)下我國綠色化學(xué)和可持續(xù)發(fā)展的要求。并且有理論研究表明，氧化鈰可以有效促進(jìn)碳化硅的表面改性，用于化學(xué)機(jī)械拋光有極大潛力提升襯底材料的去除率和平坦化效率。但是目前國內(nèi)外商業(yè)化的氧化鈰磨料仍以亞微米等級為主，一方面囿于納米級產(chǎn)品開發(fā)難度，另一方面也缺少基于氧化鈰基拋光液用于碳化硅晶圓拋光的研究數(shù)據(jù)。

8月25日-26日，于江蘇無錫舉辦的“2024年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇”上，來自江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院的倪自豐教授將在現(xiàn)場分享報(bào)告《納米氧化鈰磨粒的制備及其在碳化硅襯底拋光中的應(yīng)用》，屆時(shí)他將重點(diǎn)介紹不同形貌納米氧化鈰磨粒的制備技術(shù)，分析氧化鈰磨粒對碳化硅襯底化學(xué)機(jī)械拋光性能的影響，并通過磨粒間隙能計(jì)算、分子動力學(xué)模擬和雙電層DLVO理論解析碳化硅材料的去除機(jī)理。如您對相關(guān)內(nèi)容感興趣，歡迎了解會議詳情并報(bào)名參會哦！

關(guān)于報(bào)告人

倪自豐：江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院教授/碩士生導(dǎo)。本科和碩士畢業(yè)于中國礦業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，博士畢業(yè)于中國礦業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院，美國克拉克森大學(xué)訪問學(xué)者，師從CMP領(lǐng)域國際知名專家S.V. Babu教授，主要從事第三代半導(dǎo)體晶圓襯底的高效超精密拋光加工工藝及機(jī)理研究。現(xiàn)任中國機(jī)械工程學(xué)會高級會員、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會高級顧問。擔(dān)任Applied Surface Science、Tribology Letters、摩擦學(xué)學(xué)報(bào)等期刊審稿人。主持及參與相關(guān)國家級課題4項(xiàng)，省部級課題4項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文八十余篇，其中SCI收錄三十余篇，授權(quán)發(fā)明專利5項(xiàng)，榮獲江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)和中國商業(yè)聯(lián)合會科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)。

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