隨著半導體電子制造業的飛速發展，電子器件出現特征尺寸減小、互連線層數增多的特點，這就對晶圓襯底的表面平整度提出了更高的要求，化學機械拋光（CMP）是目前唯一能夠實現晶圓全局平坦化的超精密加工技術。為了滿足高質量的拋光需求，開發高效、高質量的CMP拋光體系具有實際應用價值。

CeO₂磨粒具有較為適中的硬度，拋光過程中對材料表面的劃痕較小，拋光精度高，同時Ce元素具有較強的化學活性及較高的氧化物-氮化物拋光選擇比，能獲得優異的材料去除率，且有助于保持不同材料層間的平坦度，是目前性能最為優良的稀土拋光材料之一，在精密光學材料、半導體晶圓、集成電路領域得到廣泛應用。不過隨著晶圓趨向大尺寸化的方向發展，為滿足更高效、更高質量的拋光需求，仍需要進一步研發CeO₂基復合拋光材料。

當前，鈰基復合拋光磨料研究較多的種類有摻雜型和核殼型。其中，CeO₂的摻雜改性可促進Ce⁴⁺向Ce³⁺的轉化，帶來拋光活性的改變，從而加速拋光表面軟化層的動態形成和去除，大幅提升拋光速率。而核殼型的CeO₂磨料通常以CeO2作為一些軟質磨粒的外殼，利用內核控制復合磨料的形貌尺寸，既可提高其水溶性和分散性，也能夠避免拋光晶圓表面劃痕，獲得良好的拋光表面質量，同時減少CeO₂用量，降低生產成本。

為助力推進新型拋光材料的研發與應用，8月25-26日，粉體圈將于江蘇無錫舉辦“2024年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇”，屆時將邀請中國科學院長春應用化學研究所的趙朗副研究員為我們分享報告《超精密納米氧化鈰拋光材料及其性能研究》，詳細介紹如何調整不同影響納米氧化鈰粒徑的因素，調控出形貌和分散性良好的納米氧化鈰，以及核殼結構、摻雜改性的納米氧化鈰復合磨料合成，為研發在精密光學材料、半導體晶圓、集成電路領域使用的具有高切削率的高端精密稀土拋光液做好前期基礎。

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報告人介紹

趙朗， 1999年-2003年畢業于延邊大學獲得學士學位，2003年-2008年畢業于吉林大學無機合成與制備國家重點實驗室，師從于吉紅院士，獲得博士學位，現任職中國科學院長春應用化學研究所副研究員，稀土拋光材料與界面調控加工技術專業委員會委員，主要研究方向無機納米材料的可控合成及應用研究，先后在國際核心期刊J. Am. Chem. Soc., Chem. Mater., Chem. Commun., Chem. Eur. J.等上發表SCI論文70余篇，主持、參與國家和省級科研項目10余項, 榮獲吉林省科技進步一等獎1項。目前主要從事芯片化學品超精密稀土拋光材料的設計與開發，產品用于集成電路、電子信息產業用光學玻璃的精密拋光。

無錫研磨拋光論壇會務組