旭化成于6月12日宣布，其子公司美國(guó)Crystal IS開(kāi)發(fā)和制造的4英寸（100毫米）氮化鋁（AlN）單晶晶圓質(zhì)量有所提高，將于2024年度下半年開(kāi)始向國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備制造商提供樣品。

左側(cè)是過(guò)去開(kāi)發(fā)的可用面積為 90% 的氮化鋁晶圓，右側(cè)是經(jīng)過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)后可用面積增至 99.3% 的氮化鋁晶圓（來(lái)源：旭化成）

AlN與SiC和GaN一樣，是一種廣為人知的寬禁帶半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)將用于下一代功率器件。然而，其制造需要在超過(guò)2000℃的升華爐內(nèi)部進(jìn)行精確的溫度控制，這使得晶圓尺寸的增大變得困難。自1997年成立以來(lái)，Crystal IS一直致力于大直徑AlN晶圓的研發(fā)，并在2023年8月宣布成功開(kāi)發(fā)了4英寸晶圓。

此次提供樣品的決定，是基于4英寸晶圓質(zhì)量的提升，晶圓面積的99%以上已被確認(rèn)可用。公司通過(guò)使用這些晶圓制造UV-C LED的方式進(jìn)行了驗(yàn)證。旭化成還指出，在樣品提供的初期階段，樣品數(shù)量將有限。

粉體圈 Coco 編譯