9月1日，長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工儀式在湖北武漢光谷科學(xué)島圓滿舉行。

據(jù)了解，長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地位于湖北武漢光谷科學(xué)島，項目總投資預(yù)計超過200億元。其中，項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。一期項目預(yù)計2025年建設(shè)完成，屆時將成為國內(nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地，公司產(chǎn)能規(guī)模將居行業(yè)絕對領(lǐng)先地位。

長飛先進(jìn)表示，在碳化硅行業(yè)，“產(chǎn)能為王”一直是行業(yè)關(guān)鍵詞，尤其是隨著800V新能源汽車的推出，2025年碳化硅市場將迎來全面爆發(fā)。為此，長飛先進(jìn)于2022年重組就已經(jīng)開始前瞻性規(guī)劃武漢基地的建設(shè)，并于今日迎來正式開工。武漢基地的順利開工，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要一步。

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司成立于2018年，注冊資本14,963.6604萬元，專注于碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

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