9月1日，長飛先進半導體武漢基地開工儀式在湖北武漢光谷科學島圓滿舉行。
據了解，長飛先進半導體武漢基地位于湖北武漢光谷科學島，項目總投資預計超過200億元。其中，項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。一期項目預計2025年建設完成，屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地，公司產能規模將居行業絕對領先地位。
長飛先進表示，在碳化硅行業，“產能為王”一直是行業關鍵詞，尤其是隨著800V新能源汽車的推出，2025年碳化硅市場將迎來全面爆發。為此，長飛先進于2022年重組就已經開始前瞻性規劃武漢基地的建設，并于今日迎來正式開工。武漢基地的順利開工，標志著公司在第三代半導體領域邁出了重要一步。
安徽長飛先進半導體有限公司成立于2018年，注冊資本14,963.6604萬元，專注于碳化硅功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。
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作者：粉體圈
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