半導體裝置為了達成附加值高的系統LSI，需要高集成化、高速化，這其中新的布線材料、絕緣膜是不可缺少的——其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關注。

Cu布線是通過雙鑲嵌法形成的，該工藝主要是為了降低線條的電阻和提高器件的導熱等性能，通常應用于0.13μm及以下的后段工藝。 其過程是：首先是采用物理氣相沉積的方法在Cu線的溝槽內沉淀一層阻擋層，目的是防止Cu在Si和SiO?中的擴散；然后在阻擋層上用物理氣相沉積一層Cu種子，以起到導電作用，為接下來的Cu電鍍工藝做好準備，隨后就是電鍍500~1800 nm的Cu金屬層。

但做到這一步其實還沒結束，因為最后還需要用化學機械研磨(CMP)的方法把表面多余的Cu完全去除，使芯片達到全局平坦化的要求。如此一來才能保證Cu線厚度在設定的范圍內，為后續的CVD和光刻等提供了良好的工藝條件。

而在這步被稱為“Cu-CMP工藝”的過程中，CMP會通過漿料中藥液的化學作用在表面形成反應物層，通過漿料的磨粒和墊通過機械作用研磨該反應物層，除去多余的Cu，這樣就完成了合格的布線結構。總之，既然要使用CMP工藝除去多余的Cu，那么所使用的拋光液正是該工序中決定成效的關鍵。

隨著芯片技術的發展，除了上述提及的工序外，CMP全局平坦化在前道集成電路制造和后道先進電子封裝中都有廣泛的應用需求，因此業界也對拋光液性能也提出了新的要求。在即將于2023年9月18-19日在東莞舉辦的“2023年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇”，來自中國科學院深圳先進技術研究院的王寧博士將發表題為《集成電路Cu-CMP用新型拋光液研究》的報告。報告將全面圍繞新型拋光液的制備及應用深入講解，主要內容包括：1）CMP在集成電路制造和先進封裝中的應用現狀；2）拋光液材料設計原理；3）拋光液設計技術指標；4）集成電路Cu-CMP用新型拋光液研究進展。

個人簡歷

王寧，博士畢業于新加坡南洋理工大學，現為深圳先進電子材料國際創新研究院副研究員，研究方向為電子級納米材料及其在先進電子封裝中的應用。截止目前，參與國家及省部級電子級二氧化硅項目3項，已發表期刊論文81篇，引用2435次，h-index 29，授權中國發明專利3項，參與制定電子封裝用二氧化硅微粉檢測團體標準1項。

東莞拋光材料及技術論壇會務組