冬天,當(dāng)我們躺在暖暖的被窩里,會(huì)覺得不那么冷了;而起床時(shí),要穿上厚厚的棉拖,否則,冰涼的瓷磚,會(huì)傳來刺骨的冷。為什么棉被和瓷磚會(huì)帶給我們?nèi)绱瞬煌母惺苣兀?/span>這一切都是由于材料的一個(gè)重要的物理參量-熱導(dǎo)率,其對(duì)材料的研究有著重要意義。
以陶瓷材料為例,其導(dǎo)熱性能,與其化學(xué)組成、組織結(jié)構(gòu)、密度、燒結(jié)工藝等因素有關(guān)。在一定范圍內(nèi),通過特定方法增加陶瓷材料的導(dǎo)熱系數(shù),將會(huì)提高其熱傳導(dǎo)、熱對(duì)流、熱輻射的能力,制備得到具有對(duì)熱能強(qiáng)吸收、高存儲(chǔ)、強(qiáng)散熱及高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷材料,進(jìn)一步拓展陶瓷材料的應(yīng)用領(lǐng)域。下文中,小編簡(jiǎn)要介紹陶瓷材料熱導(dǎo)率的影響因素及提高熱導(dǎo)率方法。
一、陶瓷材料熱導(dǎo)率影響因素
1、化學(xué)組成
普通陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)是(0.02~1.5)W/(m·K)。在實(shí)際應(yīng)用中,低的導(dǎo)熱系數(shù)陶瓷材料遠(yuǎn)不能滿足節(jié)能、高效及特殊性能的需求。組分摻雜是提高陶瓷材料導(dǎo)熱系數(shù)的一種重要方法。這種方法按摻雜組分性質(zhì)的不同可以分為兩種:添加非金屬材料或者添加金屬材料。

圖1 氮化鋁陶瓷基板材料
在電子封裝材料應(yīng)用領(lǐng)域,通過氮化鋁陶瓷復(fù)合粉體制備氮化鋁(AlN)為主的特種陶瓷,導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到210W/(m.k),是氧化鋁陶瓷導(dǎo)熱效率的5-8倍,能耐2200℃以上的高溫。具有熱導(dǎo)率高、機(jī)械性能穩(wěn)定強(qiáng)和優(yōu)秀的電氣絕緣性能,具有極高的絕緣電阻和低的介質(zhì)損耗,是新一代大規(guī)模集成電路以及功率電子產(chǎn)品的理想導(dǎo)熱陶瓷材料。
2、原料粉體顆粒尺寸
原料粉體的粒度、純度、物相會(huì)對(duì)陶瓷材料的熱導(dǎo)率、力學(xué)性能產(chǎn)生重要影響。當(dāng)顆粒尺寸越大時(shí),陶瓷的致密化過程延遲會(huì)越明顯,在陶瓷的制備過程中,陶瓷內(nèi)部不可避免地會(huì)出現(xiàn)氣孔,一般氣孔越多,材料的熱傳導(dǎo)性能相應(yīng)會(huì)提高。
當(dāng)陶瓷粉體顆粒尺寸下降至納米級(jí)別時(shí),其導(dǎo)熱系數(shù)將隨之降低。納米微粒的表面效應(yīng)和小尺寸效應(yīng)改變了材料本身的性質(zhì)。晶粒尺寸減小、分布變窄,晶界與氣孔的分離區(qū)減小以及燒結(jié)溫度的降低使得燒結(jié)過程中不易出現(xiàn)晶粒的異常生長(zhǎng),陶瓷體晶粒分布均勻。因此,當(dāng)粉體顆粒尺寸較小時(shí),陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)將隨著顆粒尺寸下降而減小。在實(shí)際生產(chǎn)時(shí),適當(dāng)控制原料粉體顆粒尺寸,能夠改善陶瓷材料的熱傳性能。

圖2 熱導(dǎo)率測(cè)試儀器(美國(guó)Anter(TA)FL4010)
3、氣孔
在氣孔率相同的條件下,氣孔尺寸越大,導(dǎo)熱系數(shù)越大。互相連通型的氣孔比封閉型氣孔的導(dǎo)熱系數(shù)高。封閉氣孔率越高,則導(dǎo)熱系數(shù)越低。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因是:氣孔的尺寸越大,氣孔內(nèi)氣體對(duì)流和孔壁之間的輻射傳熱就會(huì)越大。這與材料的密度對(duì)導(dǎo)熱系數(shù)的影響剛好相反。雖然如此,統(tǒng)籌兩種方法的效果后,可以同時(shí)采取兩種措施來改進(jìn)材料的導(dǎo)熱系數(shù)。在對(duì)多孔陶瓷的研究中,人們還得出:當(dāng)氣孔尺寸小于4μm時(shí),材料內(nèi)部的對(duì)流傳熱可以忽略。
此外,在多孔陶瓷中,對(duì)流、輻射、熱傳導(dǎo)等熱量傳遞方式都存在。因此,在對(duì)陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)進(jìn)行分析時(shí),應(yīng)綜合考慮氣孔的孔徑大小、分布情況和連通方式。
4、組織結(jié)構(gòu)
陶瓷材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)是影響其導(dǎo)熱系數(shù)的重要因素。內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)對(duì)陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)的影響主要是由材料的聲子導(dǎo)熱機(jī)理決定的。為了增加材料的導(dǎo)熱性,可以向材料內(nèi)部引入一些能夠提高其導(dǎo)熱性的物料。考慮到這些材料在陶瓷制備過程中可能與原有物質(zhì)發(fā)生一系列物理化學(xué)反應(yīng)而對(duì)陶瓷內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響,以及由于這些物料的加入有可能引起的陶瓷內(nèi)部缺陷的出現(xiàn)。因此,對(duì)添加其它相的陶瓷的結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行討論是十分必要的。陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)在很大程度上取決于填充劑的導(dǎo)熱性能以及其在陶瓷制備過程中形成的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
例如,在多孔陶瓷中,沿氣孔表面分布的雜質(zhì),如雜質(zhì)原子、晶格缺陷等,會(huì)隨著陶瓷內(nèi)部熱量的釋放,從氣孔的熱端遷移到冷端,并且在氣孔表面析出。這個(gè)過程將對(duì)陶瓷材料的熱吸收過程產(chǎn)生重大影響,從而進(jìn)一步影響材料的熱傳遞性能。

圖3 多孔陶瓷SEM圖
5、燒結(jié)工藝
在陶瓷制造工藝過程中,燒結(jié)是最重要的工序之一。該過程將影響坯體的一系列物理化學(xué)變化,并影響成品的顯微結(jié)構(gòu)和礦物組成。在燒結(jié)過程中,陶瓷組成成分的不同將發(fā)生不同的變化。在燒結(jié)過程中溫度的高低、時(shí)間的長(zhǎng)短、升降溫速度、最高燒成溫度以及保溫時(shí)間都會(huì)影響陶瓷材料的導(dǎo)熱系數(shù)。
二、陶瓷材料熱導(dǎo)率的提高方法
陶瓷材料熱導(dǎo)率的提高方法主要有組分摻雜、控制原料粉體尺寸和改善陶瓷材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在實(shí)際應(yīng)用過程中,陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)的提高是多種變量綜合作用的結(jié)果。
1、組分摻雜
為了提高陶瓷材料的導(dǎo)熱系數(shù),則需要提高陶瓷材料的純度,盡量不添加或少添加外加劑,但為了提高材料的密度和控制晶粒大小,添加一定量的外加劑還是必要的,還可以適量摻雜一些具有高導(dǎo)熱系數(shù)的非金屬(Al2O3、Fe2O3等)、金屬(如Cu等)以及在陶瓷表面負(fù)載特定有機(jī)物形成高導(dǎo)熱復(fù)合材料。
中科學(xué)院上海硅酸鹽所通過組分摻雜,開發(fā)的高熱導(dǎo)率低溫共燒陶瓷材料具有較高的熱導(dǎo)率(18.8 W/m?K),是現(xiàn)有商業(yè)化應(yīng)用中的LTCC基板材料熱導(dǎo)率的4倍。除此之外,本材料還繼承了LTCC材料的所有優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)低溫下的致密燒結(jié)(850oC)。在材料組成和結(jié)構(gòu)上可靈活設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)無源元件集成和熱、電分離管理。另外,該材料還具有和硅材料相匹配的熱膨脹系數(shù)(4.4),低的介電常數(shù)(6.5)和介電損耗(0.0016),硬度小易切割,適合于電子元器件、功能模塊等的封裝基板應(yīng)用需求。
圖3 高熱導(dǎo)率低溫共燒氧化鋁陶瓷材料制備工藝流程
2、控制顆粒尺寸
當(dāng)原料顆粒尺寸下降至納米級(jí)別時(shí),陶瓷材料的導(dǎo)熱系數(shù)降低,適當(dāng)控制顆粒尺寸可使其導(dǎo)熱系數(shù)顯著增加。此外提高陶瓷材料的密度,減少氣孔和玻璃相,使其盡量接近理論密度,也可提高陶瓷材料的導(dǎo)熱系數(shù)。
3、改善陶瓷材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)
陶瓷材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)其導(dǎo)熱系數(shù)的影響較復(fù)雜,內(nèi)部熱傳遞方式根據(jù)不同情況有多種,例如陶瓷材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的互相連通型的氣孔比封閉型氣孔的導(dǎo)熱系數(shù)高。封閉氣孔率越高,則導(dǎo)熱系數(shù)越低。其他組分的添加有可能在陶瓷的燒成過程中改變其內(nèi)部結(jié)構(gòu),影響陶瓷性能。在某種情況下,選擇采取措施改變陶瓷的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以滿足特定的功能需要。氣孔的連通方式、原料顆粒尺寸的大小、如微裂紋等內(nèi)部缺陷的出現(xiàn)都將會(huì)對(duì)材料的導(dǎo)熱系數(shù)有重大影響。
內(nèi)部缺陷和顯微結(jié)構(gòu)對(duì)陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)的影響主要是由材料的聲子導(dǎo)熱機(jī)理決定的。各類缺陷都是引起聲子散射的中心,這些缺陷都會(huì)減小聲子平均自由程和導(dǎo)熱系數(shù)。氮化硅陶瓷的傳熱機(jī)制為聲子傳熱,當(dāng)晶格完整無缺陷時(shí),聲子的平均自由程越大,熱導(dǎo)率越高,而晶格中的氧往往伴隨著空位、位錯(cuò)等結(jié)構(gòu)缺陷,顯著地降低了聲子的平均自由程,導(dǎo)致熱導(dǎo)率降低,因此降低晶格氧含量是提高氮化硅熱導(dǎo)率的關(guān)鍵。
參考文獻(xiàn):
1、瞿志學(xué),王群,張延超,燒結(jié)方法對(duì)AlN陶瓷微觀相貌及熱導(dǎo)率的影響。
2、鞠銀燕,宋士華,陳曉峰,多孔陶瓷的制備、應(yīng)用及其研究進(jìn)展.硅酸鹽通報(bào)。
作者:樂心
作者:粉體圈
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