核心應(yīng)用:用于 PCB 精細(xì)線路的干法 / 濕法蝕刻,尤其適用于高密度互連(HDI)電路板的微米級線路制作。
工藝參數(shù):
蝕刻液配方:硝酸鈰銨 0.5 mol/L + 硝酸 1 mol/L,pH 1.0-1.5;
蝕刻溫度:30-40℃,蝕刻速率可控(通過調(diào)節(jié)溫度和濃度),線路精度可達(dá) ±5μm;
優(yōu)勢:蝕刻后銅表面光滑,無過蝕刻現(xiàn)象,相比氯化鐵蝕刻液,廢液處理成本降低 40%(\(\ce{Ce^{3+}}\) 可氧化再生為 \(\ce{Ce^{4+}}\) 循環(huán)使用)。
硅片摻雜:作為鈰離子摻雜源,用于制備Ce 摻雜硅基發(fā)光二極管(LED),鈰離子可提升硅材料的發(fā)光效率,適用于近紅外光電器件;
晶圓清洗:與雙氧水復(fù)配制成清洗液,去除硅片表面的金屬雜質(zhì)(如鐵、銅、鋁),雜質(zhì)去除率達(dá) 99.9%,滿足半導(dǎo)體級硅片的純度要求。
用于ITO 導(dǎo)電玻璃的表面改性:將硝酸鈰銨溶液涂覆于 ITO 玻璃表面,經(jīng)高溫焙燒(500℃)形成 \(\ce{CeO_{2}}\) 涂層,可提升 ITO 玻璃的耐腐蝕性和導(dǎo)電穩(wěn)定性,適用于柔性 OLED 顯示屏。