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磷化銦單晶的制備操作步驟包括如下兩道：
(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發生作用，多采用水平定向結晶法和區域熔煉法。
(2)制備摻雜磷化銦單晶。一般采用高壓溶液提拉法，是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置于高壓設備內進行，用電阻絲或高頻加熱，惰性氣體保護(壓力3×106Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質量，降低位錯密度，可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯。摻雜是往多晶中放人中間摻人物，使之在熔融和結晶過程中得予擴散實現。
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