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上海先芯新材料科技有限公司

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產(chǎn)品分類(lèi) 石英粉, 金屬粉末, 磁性材料, 納米材料, 氮化鋁,
  • 名稱(chēng):高純硅粉、納米硅粉價(jià)格、微米硅粉
    關(guān)注:3452
    相關(guān):高純硅粉,納米硅粉價(jià)格,微米硅粉
    產(chǎn)品型號(hào):30nm1000nm
    產(chǎn)地:上海市浦東新區(qū)萬(wàn)祥鎮(zhèn)
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產(chǎn)品介紹

納米硅粉鋰電池負(fù)極專(zhuān)用硅粉、高純硅粉、納米硅粉價(jià)格、微米硅粉、超細(xì)硅粉、si

技術(shù)參數(shù)

貨號(hào)

平均粒徑(nm

純度(%

比表面積(m2/g

體積密度g/cm3

振實(shí)密度g/cm3

形貌

顏色

G01-N30

30

>99.9

60

0.09

2.3

球形

淡黃色

G01-U1

1000

>99.9

21

0.16

2.3

球形

棕黃色

備注:根據(jù)用戶要求可提供不同粒度的產(chǎn)品。詳細(xì)資料請(qǐng)見(jiàn)產(chǎn)品文檔。

.納米硅粉 微米硅粉 硅粉 高純硅粉

產(chǎn)品性能

納米硅粉具有高純度、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點(diǎn),本產(chǎn)品熔點(diǎn)高達(dá)1410攝氏度,沸點(diǎn)為2355攝氏度,電離能8.151電子伏特,納米硅具有無(wú)毒、無(wú)味、高表面活性的特點(diǎn),是新一代的光電半導(dǎo)體材料,具有較寬的間隙能半導(dǎo)體,也是高功率的光源材料
主要用途:充電鋰電池負(fù)極材料
用納米硅粉做成納米硅線用在充電鋰電池負(fù)極材料里,或者在納米硅粉表面包覆石墨用做充電鋰電池負(fù)極材料,提高了充電鋰電池3倍以上的電容量和充放電循環(huán)次數(shù)。由于納米硅對(duì)與鋰電池的高吸收率,將納米硅用與鋰電池可以大幅度提高鋰電池的容量(理論可以達(dá)到4000mAh),同時(shí)利用世界先進(jìn)技術(shù),將納米硅粉表面包覆石墨,組成Si-C復(fù)合材料,可以有效的降低由于硅吸收鋰離子時(shí)的膨脹,同時(shí)可以加大與電解液的親和力,易與分散,提高循環(huán)性能。

納米硅防水劑
性能特點(diǎn):白色乳液,無(wú)毒,無(wú)刺激味,不燃燒,pH12,密度1.151.2.
適用范圍:用于磚瓦、水泥、石膏、石灰、涂料、石棉、珍珠巖、保溫板等基面上具有優(yōu)異的防水抗?jié)B效果。
效果:有防止建筑物風(fēng)化、凍裂及外墻保潔、防污、防霉、防長(zhǎng)青苔之功能;質(zhì)量可靠,耐久性好,耐酸堿,耐候性?xún)?yōu)良,對(duì)鋼筋無(wú)銹蝕,且使用安全,施工方便。
其它指標(biāo):砂漿抗?jié)B性能S14,混凝土抗?jié)B性能≥S18.技術(shù)性能符合JC4741999[漿、混凝土防水劑]標(biāo)準(zhǔn)及JCT902-2002標(biāo)準(zhǔn)。
納米硅半導(dǎo)體發(fā)光材料
硅基發(fā)光材料和器件的基礎(chǔ)研究-我們?cè)诠枰r底上設(shè)計(jì)了十來(lái)種硅/氧化硅納米結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了從近紫外到近紅外的各主要波段(包括1.541.62μm)的光致發(fā)光和正向或反向偏壓下的低閾值電壓電致發(fā)光,并提出了受到廣泛支持的光致發(fā)光和電致發(fā)光模型,這為最終實(shí)現(xiàn)硅基光電集成打下一定的基礎(chǔ)。具有重要的科學(xué)意義和巨大的應(yīng)用前景。(1)通過(guò)改變富硅量、退火條件等,控制氧化硅中硅納米晶的尺寸及密度。文獻(xiàn)認(rèn)為出現(xiàn)硅納米晶的臨界溫度是1000oC,而我們通過(guò)試驗(yàn)確定出現(xiàn)納米晶的臨界退火溫度為900oC.右圖是經(jīng)900oC退火富硅量約為30%富硅氧化硅的高分辨電鏡象。可以清楚硅納米晶。圖左上角是它的電子衍射圖。(2)首次觀察到Au/(GeSiO2)超晶格/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光。右圖出四周期GeSiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2,厚度為2.0nmGe層厚為2.4nm.
3)在硅襯底上用磁控濺射技術(shù)生長(zhǎng)了納米SiO2SiSiO2雙勢(shì)壘(NDB)單勢(shì)阱三明治結(jié)構(gòu),首次實(shí)現(xiàn)AuNDBp-Si結(jié)構(gòu)的可見(jiàn)電致發(fā)光。發(fā)現(xiàn)電致發(fā)光的峰位、強(qiáng)度隨納米硅層厚度(W)的改變作同步振蕩,如右圖所示。進(jìn)一步試驗(yàn)和分析證明,振蕩周期等于12載流子的deBroglie波長(zhǎng)。用我們組提出的電致發(fā)光模型作了解釋。
4)首次在用磁控濺射生長(zhǎng)的SiO2SiEr薄膜的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)為1.54μm(光通訊窗口)的Er電致發(fā)光。
5)在熱處理ITO/自然氧化硅/p-Si中首次獲得低閾值電壓的360nm的紫外電致發(fā)光,是已報(bào)道的最短波長(zhǎng)的硅基電致發(fā)光。



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