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京瓷新工藝:一種低成本GaN基微光源專用硅基襯底

發布時間 | 2022-10-20 17:14 分類 | 技術前沿 點擊量 | 642
導讀:京瓷于2022年10月17日宣布,它已開發出一種用于制造氮化鎵基微光源的專用硅基襯底和一種使用該襯底的新工藝。目前這種工藝已實現了100微米激光器的振蕩,京瓷認為這是世界首創。

京瓷于2022年10月17日宣布,它已開發出一種用于制造氮化鎵基微光源的專用硅基襯底和一種使用該襯底的新工藝。目前這種工藝已實現了100微米激光器的振蕩,京瓷認為這是世界首創。

京瓷開發的100μm激光器振蕩狀態

京瓷開發的100μm激光器振蕩狀態

研發背景

尺寸小于100微米的微光源包括短腔激光器和微型LED。由于其高清晰度、緊湊和輕質的特點,這些產品正在被用于下一代汽車顯示器、智能眼鏡、電信和醫學等領域。

然而,LED和激光器等氮化鎵光源的制造存在一些問題,例如在制造過程中將微小的器件從襯底上分離出來極其困難,而且缺陷密度高,導致質量不穩定——若使用藍寶石襯底的制造方法,會存在制造成本高的問題;但若使用更便宜的硅襯底,則會難以剝離器件層。

新工藝介紹

京瓷這次開發的新工藝使用了一種阻止氮化鎵層生長的掩蔽材料,使器件層變得易于剝離,而且使用硅基材還可以降低生產成本。其具體的過程是:首先在一個低成本的硅襯底上生長出一個氮化鎵層,其直徑可以變大;然后用一種阻止其生長的材料對氮化鎵層進行遮蔽,并在中心開一個孔;隨后繼續沉積氮化鎵層,此時氮化鎵就會在開口處繼續生長。通過橫向沉積,最后可以沉積出具有低缺陷密度的高質量氮化鎵層,并在這個低缺陷區域制造出器件。

 

之后,京瓷將為新開發的微光源提供廣泛的平臺技術(襯底和工藝技術),并在不久的將來將高質量、低成本的微光源推向市場。

 

粉體圈Coco編譯

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作者:粉體圈

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