京瓷于2022年10月17日宣布，它已開(kāi)發(fā)出一種用于制造氮化鎵基微光源的專用硅基襯底和一種使用該襯底的新工藝。目前這種工藝已實(shí)現(xiàn)了100微米激光器的振蕩，京瓷認(rèn)為這是世界首創(chuàng)。

京瓷開(kāi)發(fā)的100μm激光器振蕩狀態(tài)

研發(fā)背景

尺寸小于100微米的微光源包括短腔激光器和微型LED。由于其高清晰度、緊湊和輕質(zhì)的特點(diǎn)，這些產(chǎn)品正在被用于下一代汽車顯示器、智能眼鏡、電信和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

然而，LED和激光器等氮化鎵光源的制造存在一些問(wèn)題，例如在制造過(guò)程中將微小的器件從襯底上分離出來(lái)極其困難，而且缺陷密度高，導(dǎo)致質(zhì)量不穩(wěn)定——若使用藍(lán)寶石襯底的制造方法，會(huì)存在制造成本高的問(wèn)題；但若使用更便宜的硅襯底，則會(huì)難以剝離器件層。

新工藝介紹

京瓷這次開(kāi)發(fā)的新工藝使用了一種阻止氮化鎵層生長(zhǎng)的掩蔽材料，使器件層變得易于剝離，而且使用硅基材還可以降低生產(chǎn)成本。其具體的過(guò)程是：首先在一個(gè)低成本的硅襯底上生長(zhǎng)出一個(gè)氮化鎵層，其直徑可以變大；然后用一種阻止其生長(zhǎng)的材料對(duì)氮化鎵層進(jìn)行遮蔽，并在中心開(kāi)一個(gè)孔；隨后繼續(xù)沉積氮化鎵層，此時(shí)氮化鎵就會(huì)在開(kāi)口處繼續(xù)生長(zhǎng)。通過(guò)橫向沉積，最后可以沉積出具有低缺陷密度的高質(zhì)量氮化鎵層，并在這個(gè)低缺陷區(qū)域制造出器件。

之后，京瓷將為新開(kāi)發(fā)的微光源提供廣泛的平臺(tái)技術(shù)（襯底和工藝技術(shù)），并在不久的將來(lái)將高質(zhì)量、低成本的微光源推向市場(chǎng)。

粉體圈Coco編譯

本文為粉體圈原創(chuàng)作品，未經(jīng)許可，不得轉(zhuǎn)載，也不得歪曲、篡改或復(fù)制本文內(nèi)容，否則本公司將依法追究法律責(zé)任。