8月15日，美國商務部對包括用于集成電路芯片設計所需要的EDA/ECDA軟件在內的一紙禁令正式實施，由此引發國內一輪熱議和思考。其實，該條禁令還將金剛石、氧化鎵兩種半導體材料加入商業管制清單，對其出口進行管控，未來會給相關產業帶來深遠影響。

粉體圈主辦的“2021全國高純粉體與晶體材料創新發展論壇”上，業內專家學者曾對包括金剛石、氧化鎵在內的先進晶體材料作過專題報告，非常值得業界回顧和思考。

金剛石

金剛石單晶是無與倫比的極限材料，是各種優異性能的集大成者，因此一直以來都是晶體材料中最受關注的材料之一，尤其是在半導體領域中，更被業界譽為“終極半導體”，未來有希望發展為千億量級的市場。

中國科學院院士，吉林大學教授、凝聚態物理專業博士生導師鄒廣田分享題為《高速生長CVD金剛石單晶及其應用》的報告，從金剛石的各項特性出發，分析了金剛石在各個領域的應用優勢，并對CVD金剛石單晶生長的關鍵技術做了闡述，為金剛石的未來描繪出了美好的前景。尤其提到，未來發展到6G時代，金剛石將是滿足半導體芯片各方面要求的唯一選項。同時，鄒院士也詳細分析了金剛石半導體領域瓶頸和需要突破的問題。

氧化鎵

氧化鎵是一種能以低成本獲得大尺寸、高質量、可摻雜塊狀單晶的超寬禁帶半導體材料（4.8eV）。因此與碳化硅和氮化鎵等半導體材料相比，氧化鎵在更高功率的應用方面具有獨特優勢，如超高壓電力電子器件、射頻電子發射器、深紫外光電探測器等。

山東大學、晶體材料國家重點實驗室的穆文祥博士代講的“寬禁帶半導體氧化鎵晶體和器件研究進展”報告，對具備熱力學穩定相的β-Ga₂O₃的性能優勢、單晶生長加工方法及其難點、最具前景的應用領域進行了簡述。值得一提的是，報告認為氧化鎵半導體的成本可能只有碳化硅的三分之一，而日本相關機構判斷2025年，氧化鎵晶圓將開始部分替代碳化硅、氮化鎵材料。

粉體圈 郜白

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