8月9日，晶方科技發布公告稱，其控股的蘇州晶方集成電路產業投資基金合伙企業出資1000萬美元投資了以色列VisIC Technologies Ltd．（以下簡稱VisIC公司），該公司是一家第三代半導體領域GaN（氮化鎵）器件設計企業。

公開報道顯示，全球汽車行業供應商采埃孚集團和半導體行業龍頭臺積電均是VisIC公司的合作伙伴。

此前，晶方科技與晶方產業基金等投資設立了蘇州晶方光電科技有限公司（以下簡稱晶方光電），且并購了一家荷蘭企業，該企業Anteryon公司前身是荷蘭飛利浦的光學電子事業部，擁有完整的晶圓級光學組件制造量產能力與經驗。

晶方科技原本主要專注于傳感器領域的封裝測試業務，同時具備8英寸、12英寸晶圓級芯片尺寸封裝技術規模量產封裝線。通過晶方光電，晶方科技成功將產業鏈延伸至晶圓級光學器件制造領域。

而此次交易，晶方科技將觸角伸至第三代半導體器件設計領域。公告顯示，交易完成后，晶方產業基金將獲得VisIC公司7.94%的股權。VisIC公司申請布局了GaN技術的關鍵專利，在此基礎上開發了氮化鎵基大功率晶體管和模塊，正在將其推向市場，產品主要使用于電能轉換、快速充電、射頻和功率器件等應用領域。

氮化鎵（GaN）有何優勢？

從 3G 到 5G 的演進過程當中，信號的調制方式都在不斷演進，這就讓氮化鎵逐漸成為了行業關注的重點。

氮化鎵能帶來的提升包括三個方面，具體包括：

一、能支持更高信號帶寬

這是由氮化鎵的低寄生容性和高阻等特性決定的；

二、具備更高的效率

這是由其低射頻損耗帶來的；

三、可以輸出更高的功率。

在高頻段、寬帶寬的應用下，想要在提高功率的同時保持更好的線性，對器件要求相當大，而氮化鎵的特性，讓它們能輕易應對這種挑戰。

和傳統的砷化鎵器件相比較，在同樣條件下，氮化鎵的壽命和使用時間都比砷化鎵高很多；在器件節溫來看，氮化鎵器件的表現比砷化鎵器件高很多。

從 5G 基站的需求看來，他們要求器件能支持更多的頻段，同時還能做到小型化，這在毫米波時代需要 128T 甚至 256T 的天線陣列的前提下，更是必須的；此外，硬件成本也是限制 5G 基站發展的一個重要因素；最后，功耗也是運營商需要考量的一個關鍵。

從天線角度看，如圖所示，天線陣列應該采用鍺化硅工藝制造，但采用這種工藝設計的天線，輸出功率大不了。因為一旦功率過高，器件的效率就達不到。這就意味著在同樣的 EIRP 的情況下，所需的天線路數更多。用砷化鎵功率可以做到相對高一點，氮化鎵則可以做到更高。

因此氮化鎵用于5G基站的毫米波技術和解決方案有其得天獨厚的優勢，另外如今氮化鎵也在電力電子領域帶來一系列變化，例如現在漸漸普及的小型快充充電器。

晶方科技在公告中表示，“公司依據自身戰略規劃投資VisIC公司，積極布局前沿半導體技術，并充分利用自身先進封裝方面的產業和技術能力，以期能有效把握三代半導體相關技術的產業發展機遇。”

粉體圈小吉整理